ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა

UNR521V00L

ნაწილი საფონდო: 163517

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 6 @ 6mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR5218G0L

ნაწილი საფონდო: 1951

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 510 Ohms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 5.1 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR222300L

ნაწილი საფონდო: 178264

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR521FG0L

ნაწილი საფონდო: 1929

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRA2143T0L

ნაწილი საფონდო: 110353

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR921NJ0L

ნაწილი საფონდო: 178920

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DDTC123YUA-7-F

ნაწილი საფონდო: 159285

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTC125TUA-7

ნაწილი საფონდო: 1998

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 200 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA143TCA-7-F

ნაწილი საფონდო: 193592

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTC115GKA-7-F

ნაწილი საფონდო: 1869

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTC123TE-7-F

ნაწილი საფონდო: 168395

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA143FKA-7-F

ნაწილი საფონდო: 1937

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA113ZKA-7-F

ნაწილი საფონდო: 1903

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTC144WKA-7-F

ნაწილი საფონდო: 1955

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTC144TUA-7

ნაწილი საფონდო: 2097

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA143XUA-7

ნაწილი საფონდო: 2121

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC123ECAHZGT116

ნაწილი საფონდო: 24337

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased + Diode, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTA114TUAT106

ნაწილი საფონდო: 183739

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC123TKAT146

ნაწილი საფონდო: 158912

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTA143EEBHZGTL

ნაწილი საფონდო: 9929

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC343TKT146

ნაწილი საფონდო: 107675

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN2107ACT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 2063

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1441ATE85LF

ნაწილი საფონდო: 176769

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 5.6 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

სურვილისამებრ

RN2108CT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 2026

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1101ACT(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 1962

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1102MFV,L3F

ნაწილი საფონდო: 120698

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1414,LF

ნაწილი საფონდო: 112225

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN2313(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 163677

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

NSBA143ZF3T5G

ნაწილი საფონდო: 157289

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

FJX4001RTF

ნაწილი საფონდო: 1966

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

PDTA123ET,215

ნაწილი საფონდო: 106175

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTB123TS,126

ნაწილი საფონდო: 3227

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTC143EK,115

ნაწილი საფონდო: 1932

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTA143EK,115

ნაწილი საფონდო: 2057

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ