ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა

UNR212X00L

ნაწილი საფონდო: 3230

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 270 Ohms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 5 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRA5123E0L

ნაწილი საფონდო: 155349

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRA3114Y0L

ნაწილი საფონდო: 171247

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR521N00L

ნაწილი საფონდო: 3303

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR221N00L

ნაწილი საფონდო: 2213

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRC3143Y0L

ნაწილი საფონდო: 107146

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRA2115T0L

ნაწილი საფონდო: 145479

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRA2144W0L

ნაწილი საფონდო: 189526

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR421400A

ნაწილი საფონდო: 2293

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR9111J0L

ნაწილი საფონდო: 2160

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DRC3124X0L

ნაწილი საფონდო: 127888

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR422300A

ნაწილი საფონდო: 2213

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR31A900L

ნაწილი საფონდო: 2211

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 80mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

UNR411F00A

ნაწილი საფონდო: 2176

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DDTA144GUA-7

ნაწილი საფონდო: 2140

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA123EUA-7-F

ნაწილი საფონდო: 129927

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA115EE-7-F

ნაწილი საფონდო: 197915

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTB122JU-7-F

ნაწილი საფონდო: 189417

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 220 Ohms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA122LE-7

ნაწილი საფონდო: 2135

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 220 Ohms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTC143TE-7-F

ნაწილი საფონდო: 142569

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DDTA114GE-7-F

ნაწილი საფონდო: 166986

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

Rohm Semiconductor

DTC124ESATP

ნაწილი საფონდო: 2239

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

Rohm Semiconductor

DTA144ESATP

ნაწილი საფონდო: 2212

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

NXP USA Inc.

PDTA124EK,115

ნაწილი საფონდო: 2157

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

NXP USA Inc.

PDTC143EE,115

ნაწილი საფონდო: 2150

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1311,LF

ნაწილი საფონდო: 137

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN1103MFV(TPL3)

ნაწილი საფონდო: 103895

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

RN2310,LF

ნაწილი საფონდო: 188190

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ