დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

MBRD660CTG

ნაწილი საფონდო: 81424

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

ნაწილი საფონდო: 69

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

ნაწილი საფონდო: 1564

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

ნაწილი საფონდო: 1548

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

ნაწილი საფონდო: 1563

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

ნაწილი საფონდო: 1533

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

ნაწილი საფონდო: 1212

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

ნაწილი საფონდო: 1519

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

ნაწილი საფონდო: 3870

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

ნაწილი საფონდო: 1156

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

ნაწილი საფონდო: 3030

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

ნაწილი საფონდო: 1552

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

ნაწილი საფონდო: 1213

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

ნაწილი საფონდო: 972

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

ნაწილი საფონდო: 1324

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

ნაწილი საფონდო: 1192

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

ნაწილი საფონდო: 3096

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

ნაწილი საფონდო: 1844

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

ნაწილი საფონდო: 1342

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

ნაწილი საფონდო: 1491

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

FST160150

ნაწილი საფონდო: 1636

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

ნაწილი საფონდო: 100592

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 970mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 109388

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 128134

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 102836

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 67167

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

ნაწილი საფონდო: 116952

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 121490

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 47709

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 159782

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.01V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 58911

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 40301

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 120106

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

ნაწილი საფონდო: 157

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

ნაწილი საფონდო: 152

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.23V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

ნაწილი საფონდო: 3747

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ