Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

BAV99T-7-F
Diodes Incorporated

BAV99T-7-F

ნაწილი საფონდო: 146128

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 85V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 75mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAV199Q-7-F
Diodes Incorporated

BAV199Q-7-F

ნაწილი საფონდო: 192574

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 85V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 140mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 50mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAV99BRV-7
Diodes Incorporated

BAV99BRV-7

ნაწილი საფონდო: 135499

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAV199W-7
Diodes Incorporated

BAV199W-7

ნაწილი საფონდო: 182301

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 85V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 140mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAS116V-7
Diodes Incorporated

BAS116V-7

ნაწილი საფონდო: 101779

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 85V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAT54AW-7-F
Diodes Incorporated

BAT54AW-7-F

ნაწილი საფონდო: 147527

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAS7005E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS7005E6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 117509

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAS28 TR
Central Semiconductor Corp

BAS28 TR

ნაწილი საფონდო: 122513

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAR43SFILM
STMicroelectronics

BAR43SFILM

ნაწილი საფონდო: 108240

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAV99T-TP
Micro Commercial Co

BAV99T-TP

ნაწილი საფონდო: 148357

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 85V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 75mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAT54TW-TP
Micro Commercial Co

BAT54TW-TP

ნაწილი საფონდო: 145263

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BYVB32-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/81

ნაწილი საფონდო: 80269

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-150-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150-E3/81

ნაწილი საფონდო: 80306

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84390

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84406

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84421

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-150HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84464

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84448

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-200HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84465

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50HE3/45

ნაწილი საფონდო: 84388

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50HE3/45

ნაწილი საფონდო: 87228

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-100-E3/45

ნაწილი საფონდო: 87144

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-150-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-150-E3/45

ნაწილი საფონდო: 87197

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVF32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVF32-50-E3/45

ნაწილი საფონდო: 87137

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYT28B-300HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300HE3/81

ნაწილი საფონდო: 84901

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYT28B-400HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400HE3/81

ნაწილი საფონდო: 84909

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/45

ნაწილი საფონდო: 88816

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYVB32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/45

ნაწილი საფონდო: 88779

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYT28B-300-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-300-E3/81

ნაწილი საფონდო: 87379

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BYT28B-400-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28B-400-E3/81

ნაწილი საფონდო: 87329

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.

BAS40-07,215

ნაწილი საფონდო: 164953

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAV23,215
Nexperia USA Inc.

BAV23,215

ნაწილი საფონდო: 115772

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 225mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAS70-05,215
Nexperia USA Inc.

BAS70-05,215

ნაწილი საფონდო: 109258

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.

BAV99S,135

ნაწილი საფონდო: 130049

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.

BAV70S,135

ნაწილი საფონდო: 195709

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
BAV74LT1G
ON Semiconductor

BAV74LT1G

ნაწილი საფონდო: 180179

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ