Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

ნაწილი საფონდო: 6258

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V,

სურვილისამებრ
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

ნაწილი საფონდო: 2529

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V,

სურვილისამებრ
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

ნაწილი საფონდო: 2518

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V,

სურვილისამებრ
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

ნაწილი საფონდო: 2547

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V,

სურვილისამებრ
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

ნაწილი საფონდო: 2588

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V,

სურვილისამებრ
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

ნაწილი საფონდო: 2582

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V,

სურვილისამებრ
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

ნაწილი საფონდო: 2573

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

ნაწილი საფონდო: 6339

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

ნაწილი საფონდო: 2510

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2556

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

ნაწილი საფონდო: 2545

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2588

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2547

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

ნაწილი საფონდო: 2570

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

ნაწილი საფონდო: 2502

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V,

სურვილისამებრ
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

ნაწილი საფონდო: 2570

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

ნაწილი საფონდო: 2576

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2588

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

ნაწილი საფონდო: 6333

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

ნაწილი საფონდო: 2510

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

ნაწილი საფონდო: 2512

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2572

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

ნაწილი საფონდო: 6262

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

ნაწილი საფონდო: 2587

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

ნაწილი საფონდო: 6281

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

ნაწილი საფონდო: 2546

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2529

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

ნაწილი საფონდო: 6300

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

ნაწილი საფონდო: 2561

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

ნაწილი საფონდო: 6316

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

ნაწილი საფონდო: 2544

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

ნაწილი საფონდო: 2544

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 35.3A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

ნაწილი საფონდო: 2509

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

ნაწილი საფონდო: 2550

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

ნაწილი საფონდო: 2483

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

ნაწილი საფონდო: 2520

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

სურვილისამებრ