ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

ნაწილი საფონდო: 6328

2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

ნაწილი საფონდო: 5671

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

ნაწილი საფონდო: 2425

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

ნაწილი საფონდო: 2448

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

ნაწილი საფონდო: 2428

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

ნაწილი საფონდო: 2398

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

ნაწილი საფონდო: 2439

2N7002WKX-7

2N7002WKX-7

ნაწილი საფონდო: 2391

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002WKX-13

2N7002WKX-13

ნაწილი საფონდო: 2390

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2SK3045

2SK3045

ნაწილი საფონდო: 37750

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

2N7000BU_T

2N7000BU_T

ნაწილი საფონდო: 2253

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK4066-DL-1EX

2SK4066-DL-1EX

ნაწილი საფონდო: 2250

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

2SK4065-DL-1EX

2SK4065-DL-1EX

ნაწილი საფონდო: 2210

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

ნაწილი საფონდო: 2132

2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

ნაწილი საფონდო: 2216

2SK3670(T6CANO,F,M

2SK3670(T6CANO,F,M

ნაწილი საფონდო: 2161

2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

ნაწილი საფონდო: 2130

2SK2989,T6F(J

2SK2989,T6F(J

ნაწილი საფონდო: 2179

2SK2989(TPE6,F,M)

2SK2989(TPE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 2201

2SK2989(T6CANO,F,M

2SK2989(T6CANO,F,M

ნაწილი საფონდო: 2219

2SK2989(T6CANO,A,F

2SK2989(T6CANO,A,F

ნაწილი საფონდო: 2169

2SK2962,T6WNLF(M

2SK2962,T6WNLF(M

ნაწილი საფონდო: 2138

2SK2962,T6WNLF(J

2SK2962,T6WNLF(J

ნაწილი საფონდო: 6215

2SK2962,T6F(M

2SK2962,T6F(M

ნაწილი საფონდო: 2169

2SK2962,T6F(J

2SK2962,T6F(J

ნაწილი საფონდო: 2183

2SK2962(TE6,F,M)

2SK2962(TE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 2198

2SK2962,F(J

2SK2962,F(J

ნაწილი საფონდო: 2201

2SK2962(T6CANO,F,M

2SK2962(T6CANO,F,M

ნაწილი საფონდო: 2178

2SK2962(T6CANO,A,F

2SK2962(T6CANO,A,F

ნაწილი საფონდო: 2217

2SJ438,Q(J

2SJ438,Q(J

ნაწილი საფონდო: 6290

2SJ438,Q(M

2SJ438,Q(M

ნაწილი საფონდო: 2142

2SJ438,MDKQ(M

2SJ438,MDKQ(M

ნაწილი საფონდო: 2148

2SJ438,MDKQ(J

2SJ438,MDKQ(J

ნაწილი საფონდო: 6253

2SJ438(CANO,A,Q)

2SJ438(CANO,A,Q)

ნაწილი საფონდო: 2179

2SJ438(CANO,Q,M)

2SJ438(CANO,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 6267

2SJ438(AISIN,Q,M)

2SJ438(AISIN,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 2148