ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A52R3BAHF3

9T04021A52R3BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7947

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A51R1BAHF3

9T04021A51R1BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7976

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A48R7BAHF3

9T04021A48R7BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3814

წინააღმდეგობა: 48.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A49R9BAHF3

9T04021A49R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7414

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A45R3BAHF3

9T04021A45R3BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7946

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A46R4BAHF3

9T04021A46R4BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7915

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A47R5BAHF3

9T04021A47R5BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7947

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A47R0BAHF3

9T04021A47R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7983

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A43R2BAHF3

9T04021A43R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7961

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A43R0BAHF3

9T04021A43R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3836

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A41R2BAHF3

9T04021A41R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3808

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A40R2BAHF3

9T04021A40R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7972

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A39R2BAHF3

9T04021A39R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7904

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A38R3BAHF3

9T04021A38R3BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7904

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A36R0BAHF3

9T04021A36R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7957

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A36R5BAHF3

9T04021A36R5BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7907

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A34R0BAHF3

9T04021A34R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7971

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A34R8BAHF3

9T04021A34R8BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7969

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A33R2BAHF3

9T04021A33R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7935

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A31R6BAHF3

9T04021A31R6BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7965

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A33R0BAHF3

9T04021A33R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7949

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R9BAHF3

9T04021A30R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7940

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A32R4BAHF3

9T04021A32R4BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7952

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A28R7BAHF3

9T04021A28R7BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7929

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A29R4BAHF3

9T04021A29R4BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7899

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R0BAHF3

9T04021A30R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7932

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R1BAHF3

9T04021A30R1BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3880

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A27R0BAHF3

9T04021A27R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7973

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A26R7BAHF3

9T04021A26R7BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7896

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A28R0BAHF3

9T04021A28R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7883

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A27R4BAHF3

9T04021A27R4BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7897

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R3BAHF3

9T04021A24R3BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7875

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A25R5BAHF3

9T04021A25R5BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7896

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A26R1BAHF3

9T04021A26R1BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7914

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R9BAHF3

9T04021A24R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7951

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A22R6BAHF3

9T04021A22R6BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7927

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი