ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A3601BAHF3

9T04021A3601BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8141

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3651BAHF3

9T04021A3651BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8081

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3481BAHF3

9T04021A3481BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8062

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3401BAHF3

9T04021A3401BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8046

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3321BAHF3

9T04021A3321BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8114

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3091BAHF3

9T04021A3091BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8093

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3301BAHF3

9T04021A3301BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3821

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3241BAHF3

9T04021A3241BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8053

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3161BAHF3

9T04021A3161BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8079

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2871BAHF3

9T04021A2871BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8051

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3011BAHF3

9T04021A3011BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8107

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3001BAHF3

9T04021A3001BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8095

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2671BAHF3

9T04021A2671BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8101

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2741BAHF3

9T04021A2741BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8062

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2701BAHF3

9T04021A2701BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8089

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2801BAHF3

9T04021A2801BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8056

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2611BAHF3

9T04021A2611BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8064

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2551BAHF3

9T04021A2551BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8117

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2431BAHF3

9T04021A2431BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8121

წინააღმდეგობა: 2.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2491BAHF3

9T04021A2491BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8038

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2371BAHF3

9T04021A2371BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8032

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2261BAHF3

9T04021A2261BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8065

წინააღმდეგობა: 2.26 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2321BAHF3

9T04021A2321BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8062

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2201BAHF3

9T04021A2201BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8066

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2211BAHF3

9T04021A2211BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8104

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2151BAHF3

9T04021A2151BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8081

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2051BAHF3

9T04021A2051BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8062

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2001BAHF3

9T04021A2001BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8106

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1961BAHF3

9T04021A1961BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8074

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1911BAHF3

9T04021A1911BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8081

წინააღმდეგობა: 1.91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1871BAHF3

9T04021A1871BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8075

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1781BAHF3

9T04021A1781BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8043

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1821BAHF3

9T04021A1821BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8026

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1801BAHF3

9T04021A1801BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8047

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1741BAHF3

9T04021A1741BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8047

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1691BAHF3

9T04021A1691BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8087

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი