ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A1210BAHF3

9T04021A1210BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8020

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1180BAHF3

9T04021A1180BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3836

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1150BAHF3

9T04021A1150BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7982

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1130BAHF3

9T04021A1130BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7927

წინააღმდეგობა: 113 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1100BAHF3

9T04021A1100BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7945

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1070BAHF3

9T04021A1070BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7925

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1050BAHF3

9T04021A1050BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7936

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1000BAHF3

9T04021A1000BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7989

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A93R1BAHF3

9T04021A93R1BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7982

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A91R0BAHF3

9T04021A91R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8012

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A97R6BAHF3

9T04021A97R6BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7978

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A88R7BAHF3

9T04021A88R7BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7956

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A90R9BAHF3

9T04021A90R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7921

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A86R6BAHF3

9T04021A86R6BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7927

წინააღმდეგობა: 86.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A82R0BAHF3

9T04021A82R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7958

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A82R5BAHF3

9T04021A82R5BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7973

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A78R7BAHF3

9T04021A78R7BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7923

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A75R0BAHF3

9T04021A75R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8000

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A76R9BAHF3

9T04021A76R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7952

წინააღმდეგობა: 76.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A71R5BAHF3

9T04021A71R5BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7929

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A73R2BAHF3

9T04021A73R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7915

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A68R1BAHF3

9T04021A68R1BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8006

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A68R0BAHF3

9T04021A68R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7982

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A66R5BAHF3

9T04021A66R5BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3819

წინააღმდეგობა: 66.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A69R8BAHF3

9T04021A69R8BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7937

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A61R9BAHF3

9T04021A61R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7974

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A63R4BAHF3

9T04021A63R4BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7947

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A64R9BAHF3

9T04021A64R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7970

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A62R0BAHF3

9T04021A62R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7945

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A59R0BAHF3

9T04021A59R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7999

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A60R4BAHF3

9T04021A60R4BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7965

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A57R6BAHF3

9T04021A57R6BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7907

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A56R2BAHF3

9T04021A56R2BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8002

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A53R6BAHF3

9T04021A53R6BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7946

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A54R9BAHF3

9T04021A54R9BAHF3

ნაწილი საფონდო: 3815

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A56R0BAHF3

9T04021A56R0BAHF3

ნაწილი საფონდო: 7937

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი