ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A1242CBHF3

9T04021A1242CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8870

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1182CBHF3

9T04021A1182CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3886

წინააღმდეგობა: 11.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1152CBHF3

9T04021A1152CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8881

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1072CBHF3

9T04021A1072CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8863

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1132CBHF3

9T04021A1132CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8821

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1102CBHF3

9T04021A1102CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8785

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1022CBHF3

9T04021A1022CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8827

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1052CBHF3

9T04021A1052CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8867

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9761CBHF3

9T04021A9761CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8855

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1002CBHF3

9T04021A1002CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8811

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9311CBHF3

9T04021A9311CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8861

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9101CBHF3

9T04021A9101CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8795

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9091CBHF3

9T04021A9091CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8848

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9531CBHF3

9T04021A9531CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8867

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8451CBHF3

9T04021A8451CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8803

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8661CBHF3

9T04021A8661CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8863

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8871CBHF3

9T04021A8871CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8793

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8251CBHF3

9T04021A8251CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8855

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7691CBHF3

9T04021A7691CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3941

წინააღმდეგობა: 7.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8061CBHF3

9T04021A8061CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8850

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8201CBHF3

9T04021A8201CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8841

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7871CBHF3

9T04021A7871CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8793

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7501CBHF3

9T04021A7501CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8822

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7151CBHF3

9T04021A7151CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8864

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6981CBHF3

9T04021A6981CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8789

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7321CBHF3

9T04021A7321CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8850

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6801CBHF3

9T04021A6801CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8801

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6811CBHF3

9T04021A6811CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8788

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6491CBHF3

9T04021A6491CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8767

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6191CBHF3

9T04021A6191CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8787

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6041CBHF3

9T04021A6041CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8838

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6341CBHF3

9T04021A6341CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8844

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5761CBHF3

9T04021A5761CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8796

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5601CBHF3

9T04021A5601CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8784

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5901CBHF3

9T04021A5901CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8766

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5621CBHF3

9T04021A5621CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8795

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი