ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A5762CBHF3

9T04021A5762CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8933

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5902CBHF3

9T04021A5902CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8954

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5602CBHF3

9T04021A5602CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8939

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5362CBHF3

9T04021A5362CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8910

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5622CBHF3

9T04021A5622CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8912

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5112CBHF3

9T04021A5112CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8955

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4992CBHF3

9T04021A4992CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8897

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5102CBHF3

9T04021A5102CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8866

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5232CBHF3

9T04021A5232CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8864

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4752CBHF3

9T04021A4752CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8871

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4872CBHF3

9T04021A4872CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8876

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4702CBHF3

9T04021A4702CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8895

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4642CBHF3

9T04021A4642CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8903

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4532CBHF3

9T04021A4532CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8906

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4302CBHF3

9T04021A4302CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8876

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4322CBHF3

9T04021A4322CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8940

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4122CBHF3

9T04021A4122CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8900

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3922CBHF3

9T04021A3922CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8913

წინააღმდეგობა: 39.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4022CBHF3

9T04021A4022CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8924

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4222CBHF3

9T04021A4222CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8859

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3742CBHF3

9T04021A3742CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3923

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3652CBHF3

9T04021A3652CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8919

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3832CBHF3

9T04021A3832CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8902

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3572CBHF3

9T04021A3572CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8893

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3602CBHF3

9T04021A3602CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8872

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3482CBHF3

9T04021A3482CBHF3

ნაწილი საფონდო: 7457

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3322CBHF3

9T04021A3322CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3951

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3162CBHF3

9T04021A3162CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8856

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3302CBHF3

9T04021A3302CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8862

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3242CBHF3

9T04021A3242CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8907

წინააღმდეგობა: 32.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2942CBHF3

9T04021A2942CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8886

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3002CBHF3

9T04021A3002CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8855

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3092CBHF3

9T04021A3092CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3893

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2702CBHF3

9T04021A2702CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8838

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2802CBHF3

9T04021A2802CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8874

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2742CBHF3

9T04021A2742CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3971

წინააღმდეგობა: 27.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი