ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A2872CBHF3

9T04021A2872CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8843

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2612CBHF3

9T04021A2612CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8894

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2492CBHF3

9T04021A2492CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8881

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2672CBHF3

9T04021A2672CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8827

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2402CBHF3

9T04021A2402CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8866

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2372CBHF3

9T04021A2372CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8901

წინააღმდეგობა: 23.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2432CBHF3

9T04021A2432CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8870

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2322CBHF3

9T04021A2322CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8875

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2262CBHF3

9T04021A2262CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8823

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2212CBHF3

9T04021A2212CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8898

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2152CBHF3

9T04021A2152CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8871

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2202CBHF3

9T04021A2202CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8845

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2052CBHF3

9T04021A2052CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8825

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1962CBHF3

9T04021A1962CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8816

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2102CBHF3

9T04021A2102CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8863

წინააღმდეგობა: 21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2002CBHF3

9T04021A2002CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8826

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1822CBHF3

9T04021A1822CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8829

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1802CBHF3

9T04021A1802CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8854

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1912CBHF3

9T04021A1912CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8875

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1872CBHF3

9T04021A1872CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8862

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1782CBHF3

9T04021A1782CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8849

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1742CBHF3

9T04021A1742CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8807

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1692CBHF3

9T04021A1692CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8897

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1652CBHF3

9T04021A1652CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8828

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1602CBHF3

9T04021A1602CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8859

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1542CBHF3

9T04021A1542CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8811

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1582CBHF3

9T04021A1582CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8819

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1622CBHF3

9T04021A1622CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8821

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1402CBHF3

9T04021A1402CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8860

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1472CBHF3

9T04021A1472CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8878

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1502CBHF3

9T04021A1502CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8834

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1272CBHF3

9T04021A1272CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3889

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1332CBHF3

9T04021A1332CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8879

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1372CBHF3

9T04021A1372CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8834

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1302CBHF3

9T04021A1302CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8827

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1212CBHF3

9T04021A1212CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8794

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი