რეზისტორული ქსელები, მასივები

Y1485V0089BA9R

Y1485V0089BA9R

ნაწილი საფონდო: 8110

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0083AT9W

Y1485V0083AT9W

ნაწილი საფონდო: 7128

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0559BA9W

Y4485V0559BA9W

ნაწილი საფონდო: 7870

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 4.706k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
MU1K000/1K000QQL

MU1K000/1K000QQL

ნაწილი საფონდო: 132

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 1k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MU1K000/1K000BQL

MU1K000/1K000BQL

ნაწილი საფონდო: 117

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MU5K000/10K00DQL

MU5K000/10K00DQL

ნაწილი საფონდო: 215

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
MU2K048/10K00DQL

MU2K048/10K00DQL

ნაწილი საფონდო: 116

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2.048k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0166FA9L

Y0094V0166FA9L

ნაწილი საფონდო: 8838

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 15k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0001QQ9L

Y0094V0001QQ9L

ნაწილი საფონდო: 8540

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0359FQ9L

Y0094V0359FQ9L

ნაწილი საფონდო: 8488

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 900, 3.6k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0151BQ0L

Y0094V0151BQ0L

ნაწილი საფონდო: 8505

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0303FQ0L

Y0094V0303FQ0L

ნაწილი საფონდო: 8573

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.13k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0103FQ0L

Y0094V0103FQ0L

ნაწილი საფონდო: 8575

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 3k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V049BA9L

Y1680V049BA9L

ნაწილი საფონდო: 8807

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, 7.5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0010AA0L

Y0094V0010AA0L

ნაწილი საფონდო: 8836

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V0476AB9L

Y1680V0476AB9L

ნაწილი საფონდო: 8804

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 400, 800, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V0490AB9L

Y1680V0490AB9L

ნაწილი საფონდო: 8852

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, 7.5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V0475AB9L

Y1680V0475AB9L

ნაწილი საფონდო: 8811

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 200, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0004FQ9L

Y0094V0004FQ9L

ნაწილი საფონდო: 8503

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0210FQ0L

Y0094V0210FQ0L

ნაწილი საფონდო: 8498

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 350, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0094FA9L

Y0094V0094FA9L

ნაწილი საფონდო: 8823

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V0004AB9L

Y1680V0004AB9L

ნაწილი საფონდო: 8777

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0151BQ9L

Y0094V0151BQ9L

ნაწილი საფონდო: 8509

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0058AA9L

Y0094V0058AA9L

ნაწილი საფონდო: 8767

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0114AA9L

Y0094V0114AA9L

ნაწილი საფონდო: 8806

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0001BB9W

Y1685V0001BB9W

ნაწილი საფონდო: 8531

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V0478AB9L

Y1680V0478AB9L

ნაწილი საფონდო: 8767

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6.4k, 12.8k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0350BQ9L

Y0094V0350BQ9L

ნაწილი საფონდო: 8495

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 9.524k, 9.95k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0114DA9L

Y0094V0114DA9L

ნაწილი საფონდო: 8765

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0030QQ0L

Y0094V0030QQ0L

ნაწილი საფონდო: 8578

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 18k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1680V0477AB9L

Y1680V0477AB9L

ნაწილი საფონდო: 8860

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, 3.2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0030QQ9L

Y0094V0030QQ9L

ნაწილი საფონდო: 8550

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 8k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0001BA9R

Y1685V0001BA9R

ნაწილი საფონდო: 8552

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0114DA0L

Y0094V0114DA0L

ნაწილი საფონდო: 8793

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0379BQ9L

Y0094V0379BQ9L

ნაწილი საფონდო: 8514

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 7k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0002FB9L

Y0094V0002FB9L

ნაწილი საფონდო: 10924

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი