სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 8k, 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 400, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.111k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 400, 1k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, 6k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 600, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 7k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 1, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.4 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2.49k, 2.84k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2.5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
