სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5.7k, 14.3k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.5%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, 30k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6.75k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 400, 800, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 8.75k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 19.8k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.4 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 13k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 8k, 16k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.06k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 300, 2.7k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 1, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 50, 4.95k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 150k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,
