რეზისტორული ქსელები, მასივები

Y0076V0312BA0L

Y0076V0312BA0L

ნაწილი საფონდო: 4033

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 9.8k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4942V0001FT0L

Y4942V0001FT0L

ნაწილი საფონდო: 5985

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y4942V0130TT0L

Y4942V0130TT0L

ნაწილი საფონდო: 5429

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 99k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y1365V0206BA9W

Y1365V0206BA9W

ნაწილი საფონდო: 5030

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0114V0404TT9L

Y0114V0404TT9L

ნაწილი საფონდო: 5373

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0076V0058BA0L

Y0076V0058BA0L

ნაწილი საფონდო: 3744

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1691V0414QQ0L

Y1691V0414QQ0L

ნაწილი საფონდო: 4257

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 360, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0196QT9W

Y1747V0196QT9W

ნაწილი საფონდო: 3559

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, 2k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1692V0392BB0L

Y1692V0392BB0L

ნაწილი საფონდო: 5847

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 25, 9.975k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0236BA9R

Y1365V0236BA9R

ნაწილი საფონდო: 5067

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.2k, 8k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
SLD1Y5K000BB

SLD1Y5K000BB

ნაწილი საფონდო: 150

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 1, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±3 ppm/°C,

სასურველი
Y5076V0383AA0L

Y5076V0383AA0L

ნაწილი საფონდო: 4122

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 1.5k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0001TQ0W

Y1685V0001TQ0W

ნაწილი საფონდო: 6089

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0114V0060TT9L

Y0114V0060TT9L

ნაწილი საფონდო: 5927

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2.5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0006V0107BA9L

Y0006V0107BA9L

ნაწილი საფონდო: 5192

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0191AT9W

Y1747V0191AT9W

ნაწილი საფონდო: 3791

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y4942V0128BB9L

Y4942V0128BB9L

ნაწილი საფონდო: 5978

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y0076V0004TT0L

Y0076V0004TT0L

ნაწილი საფონდო: 3776

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0115V0523BV0L

Y0115V0523BV0L

ნაწილი საფონდო: 5112

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 15k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0008QQ0W

Y1747V0008QQ0W

ნაწილი საფონდო: 3868

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
MU2K000/2K000BA

MU2K000/2K000BA

ნაწილი საფონდო: 152

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0023BT9W

Y1747V0023BT9W

ნაწილი საფონდო: 4502

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0008QT9W

Y1747V0008QT9W

ნაწილი საფონდო: 3541

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y0006V0002QQ0L

Y0006V0002QQ0L

ნაწილი საფონდო: 5505

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1747V0176BT9U

Y1747V0176BT9U

ნაწილი საფონდო: 4273

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y5076V0297BQ9L

Y5076V0297BQ9L

ნაწილი საფონდო: 3902

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 3.4k, 6.4k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0867V0001FT0L

Y0867V0001FT0L

ნაწილი საფონდო: 5976

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y0076V0050TT0L

Y0076V0050TT0L

ნაწილი საფონდო: 3791

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1.4k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0076V0001QQ0L

Y0076V0001QQ0L

ნაწილი საფონდო: 3973

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0261AT9R

Y1365V0261AT9R

ნაწილი საფონდო: 4265

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1365V0008BA9W

Y1365V0008BA9W

ნაწილი საფონდო: 5064

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4944V0310BB0L

Y4944V0310BB0L

ნაწილი საფონდო: 4135

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 7k, 16k, 138k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 3,

სასურველი
Y1747V0191AA9W

Y1747V0191AA9W

ნაწილი საფონდო: 4365

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0057TT0R

Y1685V0057TT0R

ნაწილი საფონდო: 5489

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.01%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
MU2K000/2K000BB

MU2K000/2K000BB

ნაწილი საფონდო: 159

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±5 ppm/°C,

სასურველი
Y0115V0521BV0L

Y0115V0521BV0L

ნაწილი საფონდო: 5106

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 700, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.005%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი