რეზისტორული ქსელები, მასივები

Y1485V0001QT0R

Y1485V0001QT0R

ნაწილი საფონდო: 6599

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0588BT9L

Y4485V0588BT9L

ნაწილი საფონდო: 6917

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3.96k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0001FA9R

Y1485V0001FA9R

ნაწილი საფონდო: 8049

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0091BQ9W

Y4485V0091BQ9W

ნაწილი საფონდო: 7056

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0112AT0R

Y1485V0112AT0R

ნაწილი საფონდო: 7193

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0001AT9R

Y1485V0001AT9R

ნაწილი საფონდო: 7134

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0246QT9W

Y4485V0246QT9W

ნაწილი საფონდო: 6463

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2.5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0002QT0W

Y1485V0002QT0W

ნაწილი საფონდო: 6662

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0313QT39W

Y1485V0313QT39W

ნაწილი საფონდო: 6675

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 900, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1767V0384FT0L

Y1767V0384FT0L

ნაწილი საფონდო: 7839

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0085BA9W

Y1485V0085BA9W

ნაწილი საფონდო: 8112

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 400, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0001BT9R

Y1685V0001BT9R

ნაწილი საფონდო: 7544

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0608QT49W

Y1485V0608QT49W

ნაწილი საფონდო: 7080

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 250, 750, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0001QQ9W

Y4485V0001QQ9W

ნაწილი საფონდო: 6719

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0001AQ0W

Y4485V0001AQ0W

ნაწილი საფონდო: 6767

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0114V0064FF9L

Y0114V0064FF9L

ნაწილი საფონდო: 6698

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0082QT9W

Y4485V0082QT9W

ნაწილი საფონდო: 6469

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0082BT9W

Y1485V0082BT9W

ნაწილი საფონდო: 7272

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0497BA9W

Y1485V0497BA9W

ნაწილი საფონდო: 7820

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2.49k, 12k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0005BA9R

Y1485V0005BA9R

ნაწილი საფონდო: 8088

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y0094V0058FQ0L

Y0094V0058FQ0L

ნაწილი საფონდო: 7812

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.02%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0089BT9R

Y1485V0089BT9R

ნაწილი საფონდო: 7239

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0004BT0W

Y4485V0004BT0W

ნაწილი საფონდო: 6899

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0001BT9W

Y1685V0001BT9W

ნაწილი საფონდო: 7499

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0059QT9L

Y4485V0059QT9L

ნაწილი საფონდო: 6482

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0076QT9W

Y4485V0076QT9W

ნაწილი საფონდო: 6412

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 1k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0001QT9R

Y1485V0001QT9R

ნაწილი საფონდო: 7131

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0002BA9W

Y4485V0002BA9W

ნაწილი საფონდო: 7111

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y4942V0001BB0L

Y4942V0001BB0L

ნაწილი საფონდო: 6722

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
Y1485V0001QT0W

Y1485V0001QT0W

ნაწილი საფონდო: 6630

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0560BA9R

Y1485V0560BA9R

ნაწილი საფონდო: 8115

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 3.2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y4485V0091BA9W

Y4485V0091BA9W

ნაწილი საფონდო: 7122

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 500, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y0006V0367FF0L

Y0006V0367FF0L

ნაწილი საფონდო: 7341

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 200, 2.46k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±1%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0151BA9R

Y1485V0151BA9R

ნაწილი საფონდო: 8091

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი
Y1685V0001QT9R

Y1685V0001QT9R

ნაწილი საფონდო: 6714

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.02%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.1 ppm/°C,

სასურველი
Y1485V0004FT0W

Y1485V0004FT0W

ნაწილი საფონდო: 7638

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±0.5 ppm/°C,

სასურველი