ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y17467K50000T0R

Y17467K50000T0R

ნაწილი საფონდო: 112

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1172407R000T0R

Y1172407R000T0R

ნაწილი საფონდო: 254

წინააღმდეგობა: 407 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1625133R000A0R

Y1625133R000A0R

ნაწილი საფონდო: 217

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162450R0000A89R

Y162450R0000A89R

ნაწილი საფონდო: 257

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624850R000B9R

Y1624850R000B9R

ნაწილი საფონდო: 235

წინააღმდეგობა: 850 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y149612K6000T9R

Y149612K6000T9R

ნაწილი საფონდო: 174

წინააღმდეგობა: 12.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y145525K0000T9R

Y145525K0000T9R

ნაწილი საფონდო: 221

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14880R08000B9R

Y14880R08000B9R

ნაწილი საფონდო: 259

წინააღმდეგობა: 80 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y4027100K000B9W

Y4027100K000B9W

ნაწილი საფონდო: 241

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14553K92000T9R

Y14553K92000T9R

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y40154K30000B9R

Y40154K30000B9R

ნაწილი საფონდო: 3580

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y4081100R000Q9R

Y4081100R000Q9R

ნაწილი საფონდო: 3412

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y145572R3000A9R

Y145572R3000A9R

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 72.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y174610R0000A0R

Y174610R0000A0R

ნაწილი საფონდო: 186

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11693K01000T9R

Y11693K01000T9R

ნაწილი საფონდო: 109

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y17452K50000T9R

Y17452K50000T9R

ნაწილი საფონდო: 159

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1633800R000B9R

Y1633800R000B9R

ნაწილი საფონდო: 157

წინააღმდეგობა: 800 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14870R00500E9R

Y14870R00500E9R

ნაწილი საფონდო: 3556

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y17461K42000T0R

Y17461K42000T0R

ნაწილი საფონდო: 161

წინააღმდეგობა: 1.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625127R500A0R

Y1625127R500A0R

ნაწილი საფონდო: 258

წინააღმდეგობა: 127.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16242K80000B9R

Y16242K80000B9R

ნაწილი საფონდო: 187

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162763K4000T9W

Y162763K4000T9W

ნაწილი საფონდო: 202

წინააღმდეგობა: 63.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16252K50000B9R

Y16252K50000B9R

ნაწილი საფონდო: 235

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11691K37500T9R

Y11691K37500T9R

ნაწილი საფონდო: 127

წინააღმდეგობა: 1.375 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16075R60000F9R

Y16075R60000F9R

ნაწილი საფონდო: 151

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40211K33000T9R

Y40211K33000T9R

ნაწილი საფონდო: 199

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08560R50000F9R

Y08560R50000F9R

ნაწილი საფონდო: 152

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y08561R65000D9R

Y08561R65000D9R

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 1.65 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16246K40000B9R

Y16246K40000B9R

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 6.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y17463K83000T0R

Y17463K83000T0R

ნაწილი საფონდო: 125

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625100R000F9R

Y1625100R000F9R

ნაწილი საფონდო: 205

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08505R00000D9R

Y08505R00000D9R

ნაწილი საფონდო: 226

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y08560R82500D119R

Y08560R82500D119R

ნაწილი საფონდო: 182

წინააღმდეგობა: 825 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y149625K0000T49R

Y149625K0000T49R

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y40152K00000B9R

Y40152K00000B9R

ნაწილი საფონდო: 3594

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y145571R5000A9R

Y145571R5000A9R

ნაწილი საფონდო: 191

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი