ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y40812K00000T9R

Y40812K00000T9R

ნაწილი საფონდო: 3624

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y11694K42000T0R

Y11694K42000T0R

ნაწილი საფონდო: 123

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11723K92000T9R

Y11723K92000T9R

ნაწილი საფონდო: 191

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y40211K18000T9R

Y40211K18000T9R

ნაწილი საფონდო: 248

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y145518K7000B9R

Y145518K7000B9R

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11721K69000T0R

Y11721K69000T0R

ნაწილი საფონდო: 219

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y40811K00000B9R

Y40811K00000B9R

ნაწილი საფონდო: 3235

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2.5ppm/°C,

სასურველი
Y160710R0000F9R

Y160710R0000F9R

ნაწილი საფონდო: 211

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1496250R000T9R

Y1496250R000T9R

ნაწილი საფონდო: 236

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y17461K00000T0R

Y17461K00000T0R

ნაწილი საფონდო: 111

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16252K60000B9R

Y16252K60000B9R

ნაწილი საფონდო: 166

წინააღმდეგობა: 2.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16242K70000B9R

Y16242K70000B9R

ნაწილი საფონდო: 194

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1636622R500T29R

Y1636622R500T29R

ნაწილი საფონდო: 252

წინააღმდეგობა: 622.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K00000C9R

Y16251K00000C9R

ნაწილი საფონდო: 231

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14880R16000B9R

Y14880R16000B9R

ნაწილი საფონდო: 240

წინააღმდეგობა: 160 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y17461K40000Q0R

Y17461K40000Q0R

ნაწილი საფონდო: 164

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624195R000Q9R

Y1624195R000Q9R

ნაწილი საფონდო: 224

წინააღმდეგობა: 195 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1625319R600A9R

Y1625319R600A9R

ნაწილი საფონდო: 180

წინააღმდეგობა: 319.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14880R00750B0R

Y14880R00750B0R

ნაწილი საფონდო: 293

წინააღმდეგობა: 7.5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y4024110R000Q9R

Y4024110R000Q9R

ნაწილი საფონდო: 160

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y149628R7000B9R

Y149628R7000B9R

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y08560R50000D9R

Y08560R50000D9R

ნაწილი საფონდო: 169

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y402543K0000B9R

Y402543K0000B9R

ნაწილი საფონდო: 164

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y14552K55000T9R

Y14552K55000T9R

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1172909R000T9R

Y1172909R000T9R

ნაწილი საფონდო: 204

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y11724K60000B9R

Y11724K60000B9R

ნაწილი საფონდო: 245

წინააღმდეგობა: 4.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4023500R000B9R

Y4023500R000B9R

ნაწილი საფონდო: 237

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y145516K9000T9R

Y145516K9000T9R

ნაწილი საფონდო: 172

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y1455124R000Q9R

Y1455124R000Q9R

ნაწილი საფონდო: 190

წინააღმდეგობა: 124 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y44870R01195B0R

Y44870R01195B0R

ნაწილი საფონდო: 3321

წინააღმდეგობა: 11.95 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y174625K0000T9R

Y174625K0000T9R

ნაწილი საფონდო: 118

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16244K30000B9R

Y16244K30000B9R

ნაწილი საფონდო: 234

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162847K0000A9W

Y162847K0000A9W

ნაწილი საფონდო: 244

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162450R0000D89R

Y162450R0000D89R

ნაწილი საფონდო: 226

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624330R000B9R

Y1624330R000B9R

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y145516K2000T9R

Y145516K2000T9R

ნაწილი საფონდო: 176

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი