ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

Y16246K80000B9R

Y16246K80000B9R

ნაწილი საფონდო: 205

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y145569R0000A9R

Y145569R0000A9R

ნაწილი საფონდო: 174

წინააღმდეგობა: 69 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y40235K00000B9R

Y40235K00000B9R

ნაწილი საფონდო: 236

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11726K04000T9R

Y11726K04000T9R

ნაწილი საფონდო: 187

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y14870R00300C9R

Y14870R00300C9R

ნაწილი საფონდო: 3551

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
Y40211K50000T9R

Y40211K50000T9R

ნაწილი საფონდო: 204

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y161112K1000B1R

Y161112K1000B1R

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y40211K20000T9R

Y40211K20000T9R

ნაწილი საფონდო: 181

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162528R7000B9R

Y162528R7000B9R

ნაწილი საფონდო: 219

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y11722K49000Q9R

Y11722K49000Q9R

ნაწილი საფონდო: 170

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y149628R7000A9R

Y149628R7000A9R

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16363K52000T9R

Y16363K52000T9R

ნაწილი საფონდო: 180

წინააღმდეგობა: 3.52 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1746420R000T0R

Y1746420R000T0R

ნაწილი საფონდო: 159

წინააღმდეგობა: 420 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y149628R7000B0R

Y149628R7000B0R

ნაწილი საფონდო: 254

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.15W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y162561R2000B9R

Y162561R2000B9R

ნაწილი საფონდო: 196

წინააღმდეგობა: 61.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y08561R65000D129R

Y08561R65000D129R

ნაწილი საფონდო: 220

წინააღმდეგობა: 1.65 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K35000C9R

Y16251K35000C9R

ნაწილი საფონდო: 214

წინააღმდეგობა: 1.35 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1624178R000Q9R

Y1624178R000Q9R

ნაწილი საფონდო: 232

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40221K00000F9R

Y40221K00000F9R

ნაწილი საფონდო: 174

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1632800R000B9R

Y1632800R000B9R

ნაწილი საფონდო: 218

წინააღმდეგობა: 800 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y21231R20000F0L

Y21231R20000F0L

ნაწილი საფონდო: 259

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 8W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174612K5000T9R

Y174612K5000T9R

ნაწილი საფონდო: 200

წინააღმდეგობა: 12.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16363K45000T39R

Y16363K45000T39R

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 3.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y145512K4000T9R

Y145512K4000T9R

ნაწილი საფონდო: 175

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y21232R50000F0L

Y21232R50000F0L

ნაწილი საფონდო: 285

წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 8W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174640R0000Q9R

Y174640R0000Q9R

ნაწილი საფონდო: 190

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y1169316R000T139R

Y1169316R000T139R

ნაწილი საფონდო: 136

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±2ppm/°C,

სასურველი
Y4022108R600B9R

Y4022108R600B9R

ნაწილი საფონდო: 251

წინააღმდეგობა: 108.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174611R0000A0R

Y174611R0000A0R

ნაწილი საფონდო: 193

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y402310K0000B9R

Y402310K0000B9R

ნაწილი საფონდო: 167

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y162410R0000D89R

Y162410R0000D89R

ნაწილი საფონდო: 260

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16075R00000F9R

Y16075R00000F9R

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y16251K11111Q0R

Y16251K11111Q0R

ნაწილი საფონდო: 200

წინააღმდეგობა: 1.11111 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.3W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y174626K1000T9L

Y174626K1000T9L

ნაწილი საფონდო: 129

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y4021470R000A9R

Y4021470R000A9R

ნაწილი საფონდო: 238

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი
Y40277K88000T9W

Y40277K88000T9W

ნაწილი საფონდო: 216

წინააღმდეგობა: 7.88 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±0.2ppm/°C,

სასურველი