ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TNPW251222K1BETG

TNPW251222K1BETG

ნაწილი საფონდო: 6811

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010845KBEEF

TNPW2010845KBEEF

ნაწილი საფონდო: 6616

წინააღმდეგობა: 845 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20101K15BEEY

TNPW20101K15BEEY

ნაწილი საფონდო: 6747

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251275K0BEEY

TNPW251275K0BEEY

ნაწილი საფონდო: 6833

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20102K20BEEY

TNPW20102K20BEEY

ნაწილი საფონდო: 6799

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251243K0BETG

TNPW251243K0BETG

ნაწილი საფონდო: 6888

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512169RBEEY

TNPW2512169RBEEY

ნაწილი საფონდო: 6850

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251218K2BETG

TNPW251218K2BETG

ნაწილი საფონდო: 6829

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010499RBEEY

TNPW2010499RBEEY

ნაწილი საფონდო: 6696

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512470KBETG

TNPW2512470KBETG

ნაწილი საფონდო: 7054

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201019K6BEEY

TNPW201019K6BEEY

ნაწილი საფონდო: 6767

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25127K15BEEY

TNPW25127K15BEEY

ნაწილი საფონდო: 1743

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25122K05BETG

TNPW25122K05BETG

ნაწილი საფონდო: 6646

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20101K18BEEY

TNPW20101K18BEEY

ნაწილი საფონდო: 6707

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010910RBETF

TNPW2010910RBETF

ნაწილი საფონდო: 1722

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251293K1BETG

TNPW251293K1BETG

ნაწილი საფონდო: 6934

წინააღმდეგობა: 93.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251257K6BETG

TNPW251257K6BETG

ნაწილი საფონდო: 7062

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512200KBETG

TNPW2512200KBETG

ნაწილი საფონდო: 1794

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010226RBETF

TNPW2010226RBETF

ნაწილი საფონდო: 6895

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512953RBETG

TNPW2512953RBETG

ნაწილი საფონდო: 6580

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010143KBETF

TNPW2010143KBETF

ნაწილი საფონდო: 6908

წინააღმდეგობა: 143 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25125K36BETG

TNPW25125K36BETG

ნაწილი საფონდო: 6726

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25122K70BETG

TNPW25122K70BETG

ნაწილი საფონდო: 6655

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512453KBETG

TNPW2512453KBETG

ნაწილი საფონდო: 7031

წინააღმდეგობა: 453 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251229K4BETG

TNPW251229K4BETG

ნაწილი საფონდო: 6870

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251213K0BETG

TNPW251213K0BETG

ნაწილი საფონდო: 6770

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25124K22BEEG

TNPW25124K22BEEG

ნაწილი საფონდო: 6687

წინააღმდეგობა: 4.22 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512910RBETG

TNPW2512910RBETG

ნაწილი საფონდო: 6544

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010680RBEEF

TNPW2010680RBEEF

ნაწილი საფონდო: 1694

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251212K4BETG

TNPW251212K4BETG

ნაწილი საფონდო: 6750

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251273K2BETG

TNPW251273K2BETG

ნაწილი საფონდო: 6915

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251282K0BETG

TNPW251282K0BETG

ნაწილი საფონდო: 7003

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121K54BETG

TNPW25121K54BETG

ნაწილი საფონდო: 6656

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512115KBETG

TNPW2512115KBETG

ნაწილი საფონდო: 6942

წინააღმდეგობა: 115 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251241K2BETG

TNPW251241K2BETG

ნაწილი საფონდო: 7005

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512105KBETG

TNPW2512105KBETG

ნაწილი საფონდო: 6951

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი