ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TNPW2512422KBETG

TNPW2512422KBETG

ნაწილი საფონდო: 7054

წინააღმდეგობა: 422 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512390KBETG

TNPW2512390KBETG

ნაწილი საფონდო: 7092

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25128K20BETG

TNPW25128K20BETG

ნაწილი საფონდო: 6781

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201024K3BETF

TNPW201024K3BETF

ნაწილი საფონდო: 6906

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512143RBEEY

TNPW2512143RBEEY

ნაწილი საფონდო: 6806

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251269K8BETG

TNPW251269K8BETG

ნაწილი საფონდო: 6906

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512750KBETG

TNPW2512750KBETG

ნაწილი საფონდო: 7082

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251220K0BETG

TNPW251220K0BETG

ნაწილი საფონდო: 6800

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512866KBEEG

TNPW2512866KBEEG

ნაწილი საფონდო: 1738

წინააღმდეგობა: 866 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25129K10BETG

TNPW25129K10BETG

ნაწილი საფონდო: 7001

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25123K90BETG

TNPW25123K90BETG

ნაწილი საფონდო: 6653

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25123K65BETG

TNPW25123K65BETG

ნაწილი საფონდო: 6731

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20107K32BETF

TNPW20107K32BETF

ნაწილი საფონდო: 1710

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512243KBETG

TNPW2512243KBETG

ნაწილი საფონდო: 1786

წინააღმდეგობა: 243 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25123K24BETG

TNPW25123K24BETG

ნაწილი საფონდო: 6691

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R0900FEA

WSH2818R0900FEA

ნაწილი საფონდო: 7126

წინააღმდეგობა: 90 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
TNPW251230K1BETG

TNPW251230K1BETG

ნაწილი საფონდო: 7035

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512274KBEEG

TNPW2512274KBEEG

ნაწილი საფონდო: 6670

წინააღმდეგობა: 274 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251217K4BETG

TNPW251217K4BETG

ნაწილი საფონდო: 6848

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25125K90BEEY

TNPW25125K90BEEY

ნაწილი საფონდო: 6850

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251231K6BEEY

TNPW251231K6BEEY

ნაწილი საფონდო: 1689

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251210K2BEEY

TNPW251210K2BEEY

ნაწილი საფონდო: 6889

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251211K0BETG

TNPW251211K0BETG

ნაწილი საფონდო: 1723

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512113KBEEG

TNPW2512113KBEEG

ნაწილი საფონდო: 6665

წინააღმდეგობა: 113 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251230K9BETG

TNPW251230K9BETG

ნაწილი საფონდო: 6905

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25124K32BETG

TNPW25124K32BETG

ნაწილი საფონდო: 1754

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121K40BETG

TNPW25121K40BETG

ნაწილი საფონდო: 6654

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25124K30BETG

TNPW25124K30BETG

ნაწილი საფონდო: 6656

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251215K0BEEG

TNPW251215K0BEEG

ნაწილი საფონდო: 6665

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512124KBETG

TNPW2512124KBETG

ნაწილი საფონდო: 7038

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010178KBEEY

TNPW2010178KBEEY

ნაწილი საფონდო: 6821

წინააღმდეგობა: 178 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010226KBEEY

TNPW2010226KBEEY

ნაწილი საფონდო: 6836

წინააღმდეგობა: 226 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251211K3BETG

TNPW251211K3BETG

ნაწილი საფონდო: 6812

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251230K0BETG

TNPW251230K0BETG

ნაწილი საფონდო: 6885

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121K02BETG

TNPW25121K02BETG

ნაწილი საფონდო: 7020

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512191KBETG

TNPW2512191KBETG

ნაწილი საფონდო: 7002

წინააღმდეგობა: 191 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი