ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TNPW201015K8BEEY

TNPW201015K8BEEY

ნაწილი საფონდო: 6814

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512133KBETG

TNPW2512133KBETG

ნაწილი საფონდო: 6998

წინააღმდეგობა: 133 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121K27BETG

TNPW25121K27BETG

ნაწილი საფონდო: 6560

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201026K7BEEY

TNPW201026K7BEEY

ნაწილი საფონდო: 6813

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512953KBETG

TNPW2512953KBETG

ნაწილი საფონდო: 7132

წინააღმდეგობა: 953 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25129K31BEEG

TNPW25129K31BEEG

ნაწილი საფონდო: 6711

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25122K37BETG

TNPW25122K37BETG

ნაწილი საფონდო: 6611

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512357KBEEY

TNPW2512357KBEEY

ნაწილი საფონდო: 6851

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20105K36BEEF

TNPW20105K36BEEF

ნაწილი საფონდო: 6550

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010383KBEEF

TNPW2010383KBEEF

ნაწილი საფონდო: 6624

წინააღმდეგობა: 383 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251239K0BETG

TNPW251239K0BETG

ნაწილი საფონდო: 6871

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20107K68BEEF

TNPW20107K68BEEF

ნაწილი საფონდო: 6635

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251252K3BETG

TNPW251252K3BETG

ნაწილი საფონდო: 7071

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251268K1BETG

TNPW251268K1BETG

ნაწილი საფონდო: 7050

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20102K26BEEF

TNPW20102K26BEEF

ნაწილი საფონდო: 6569

წინააღმდეგობა: 2.26 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251264R9BEEG

TNPW251264R9BEEG

ნაწილი საფონდო: 6660

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512931RBETG

TNPW2512931RBETG

ნაწილი საფონდო: 6593

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512357KBETG

TNPW2512357KBETG

ნაწილი საფონდო: 7097

წინააღმდეგობა: 357 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251247K0BETG

TNPW251247K0BETG

ნაწილი საფონდო: 6842

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251236K0BEEG

TNPW251236K0BEEG

ნაწილი საფონდო: 6718

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R0600FEA

WSH2818R0600FEA

ნაწილი საფონდო: 7103

წინააღმდეგობა: 60 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121K13BEEY

TNPW25121K13BEEY

ნაწილი საფონდო: 6830

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512174KBETG

TNPW2512174KBETG

ნაწილი საფონდო: 6984

წინააღმდეგობა: 174 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25122K67BETG

TNPW25122K67BETG

ნაწილი საფონდო: 6693

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512976KBETG

TNPW2512976KBETG

ნაწილი საფონდო: 7089

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512150KBEEY

TNPW2512150KBEEY

ნაწილი საფონდო: 6841

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512360KBETG

TNPW2512360KBETG

ნაწილი საფონდო: 1789

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512261RBEEY

TNPW2512261RBEEY

ნაწილი საფონდო: 7216

წინააღმდეგობა: 261 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512255KBETG

TNPW2512255KBETG

ნაწილი საფონდო: 6996

წინააღმდეგობა: 255 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512107KBETG

TNPW2512107KBETG

ნაწილი საფონდო: 6942

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251212K1BETG

TNPW251212K1BETG

ნაწილი საფონდო: 6750

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251260K4BETG

TNPW251260K4BETG

ნაწილი საფონდო: 6936

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512102KBETG

TNPW2512102KBETG

ნაწილი საფონდო: 6959

წინააღმდეგობა: 102 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251282R0BEEG

TNPW251282R0BEEG

ნაწილი საფონდო: 6653

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512464KBETG

TNPW2512464KBETG

ნაწილი საფონდო: 7106

წინააღმდეგობა: 464 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512806KBETG

TNPW2512806KBETG

ნაწილი საფონდო: 7151

წინააღმდეგობა: 806 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი