სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±15 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 15k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 200, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, 300, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±0.5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,
ტოლერანტობა: ±0.05%,
სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.05%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±2 ppm/°C,
