შასის მთის წინააღმდეგობები

AH15010R00JE66

AH15010R00JE66

ნაწილი საფონდო: 246

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH1502R200JE66

AH1502R200JE66

ნაწილი საფონდო: 221

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH15047R00JE66

AH15047R00JE66

ნაწილი საფონდო: 210

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH1504R700JE66

AH1504R700JE66

ნაწილი საფონდო: 261

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH150470R0JE66

AH150470R0JE66

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH15040R00JE66

AH15040R00JE66

ნაწილი საფონდო: 222

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH1002R200JE66

AH1002R200JE66

ნაწილი საფონდო: 180

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH1001K500JE66

AH1001K500JE66

ნაწილი საფონდო: 258

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH1003R300JE66

AH1003R300JE66

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH10047R00JE66

AH10047R00JE66

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH10010K00JE66

AH10010K00JE66

ნაწილი საფონდო: 196

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH100150R0JE66

AH100150R0JE66

ნაწილი საფონდო: 219

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH10068R00JE66

AH10068R00JE66

ნაწილი საფონდო: 198

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH10033R00JE66

AH10033R00JE66

ნაწილი საფონდო: 195

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH100100R0JE66

AH100100R0JE66

ნაწილი საფონდო: 254

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH10010R00JE66

AH10010R00JE66

ნაწილი საფონდო: 201

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07522R00JE66

AH07522R00JE66

ნაწილი საფონდო: 233

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07582R00JE66

AH07582R00JE66

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH0751R000JE66

AH0751R000JE66

ნაწილი საფონდო: 256

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07539K00JE66

AH07539K00JE66

ნაწილი საფონდო: 246

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07547R00JE66

AH07547R00JE66

ნაწილი საფონდო: 259

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07533R00JE66

AH07533R00JE66

ნაწილი საფონდო: 258

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH0753R300JE66

AH0753R300JE66

ნაწილი საფონდო: 215

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07527R00JE66

AH07527R00JE66

ნაწილი საფონდო: 243

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH075100R0JE66

AH075100R0JE66

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH0754R700JE66

AH0754R700JE66

ნაწილი საფონდო: 186

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH0756R800JE66

AH0756R800JE66

ნაწილი საფონდო: 255

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
AH07510R00JE66

AH07510R00JE66

ნაწილი საფონდო: 205

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
FSE030020E25R0KE

FSE030020E25R0KE

ნაწილი საფონდო: 393

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
LPS1100H10R0JB

LPS1100H10R0JB

ნაწილი საფონდო: 438

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
LPS1100H1R00JB

LPS1100H1R00JB

ნაწილი საფონდო: 459

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
LPS1100H47R0JB

LPS1100H47R0JB

ნაწილი საფონდო: 395

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
LPS1100H4R70JB

LPS1100H4R70JB

ნაწილი საფონდო: 475

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
LPS1100H4700JB

LPS1100H4700JB

ნაწილი საფონდო: 403

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
LPS1100H1000JB

LPS1100H1000JB

ნაწილი საფონდო: 429

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
RPS0500DH4700JB

RPS0500DH4700JB

ნაწილი საფონდო: 672

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი