ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

PHT0603Y1000BGTB

PHT0603Y1000BGTB

ნაწილი საფონდო: 15676

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.0375W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K2153FGTA

CHPHT0805K2153FGTA

ნაწილი საფონდო: 15844

წინააღმდეგობა: 215 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
D2TO035C50R00JRE3

D2TO035C50R00JRE3

ნაწილი საფონდო: 16965

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
DTO025CR2200JTE3

DTO025CR2200JTE3

ნაწილი საფონდო: 12338

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1502FGTA

CHPHT0805K1502FGTA

ნაწილი საფონდო: 15859

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K2492FGTA

CHPHT0805K2492FGTA

ნაწილი საფონდო: 15850

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K2150FGTA

CHPHT0805K2150FGTA

ნაწილი საფონდო: 15846

წინააღმდეგობა: 215 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K5620FGTA

CHPHT0805K5620FGTA

ნაწილი საფონდო: 15827

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PHT0805Y1003BGTB

PHT0805Y1003BGTB

ნაწილი საფონდო: 14920

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K4640FGTA

CHPHT0805K4640FGTA

ნაწილი საფონდო: 15805

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K4991FGTA

CHPHT0805K4991FGTA

ნაწილი საფონდო: 15838

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1000FGTA

CHPHT0805K1000FGTA

ნაწილი საფონდო: 15829

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1782FGTA

CHPHT0805K1782FGTA

ნაწილი საფონდო: 15805

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K56R2FGTA

CHPHT0805K56R2FGTA

ნაწილი საფონდო: 15813

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K5622FGTA

CHPHT0805K5622FGTA

ნაწილი საფონდო: 15789

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CH0402-75RGFPA

CH0402-75RGFPA

ნაწილი საფონდო: 4828

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1211FGTA

CHPHT0805K1211FGTA

ნაწილი საფონდო: 15834

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K8253FGW

CHPHT0805K8253FGW

ნაწილი საფონდო: 10545

წინააღმდეგობა: 825 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CH0402-25RJFPA

CH0402-25RJFPA

ნაწილი საფონდო: 285

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1961FGTA

CHPHT0805K1961FGTA

ნაწილი საფონდო: 15836

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K5621FGTA

CHPHT0805K5621FGTA

ნაწილი საფონდო: 15843

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K2002FGTA

CHPHT0805K2002FGTA

ნაწილი საფონდო: 15864

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K4641FGTA

CHPHT0805K4641FGTA

ნაწილი საფონდო: 15849

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CH0402-100RGFPA

CH0402-100RGFPA

ნაწილი საფონდო: 315

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K2003FGTA

CHPHT0805K2003FGTA

ნაწილი საფონდო: 15814

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K21R5FGTA

CHPHT0805K21R5FGTA

ნაწილი საფონდო: 15825

წინააღმდეგობა: 21.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K8251FGTA

CHPHT0805K8251FGTA

ნაწილი საფონდო: 15786

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1501FGTA

CHPHT0805K1501FGTA

ნაწილი საფონდო: 15815

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K4990FGTA

CHPHT0805K4990FGTA

ნაწილი საფონდო: 15803

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K1002FGTA

CHPHT0805K1002FGTA

ნაწილი საფონდო: 15794

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K4642FGTA

CHPHT0805K4642FGTA

ნაწილი საფონდო: 15815

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K8253FGTA

CHPHT0805K8253FGTA

ნაწილი საფონდო: 15767

წინააღმდეგობა: 825 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K8252FGTA

CHPHT0805K8252FGTA

ნაწილი საფონდო: 15767

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHPHT0805K3161FGTA

CHPHT0805K3161FGTA

ნაწილი საფონდო: 15854

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.02W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PNM0805E1001JBT0

PNM0805E1001JBT0

ნაწილი საფონდო: 17240

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
FC0402E75R0BST0

FC0402E75R0BST0

ნაწილი საფონდო: 47481

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: RF, High Frequency, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი