დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

VSSAF3M6-M3/H

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

M2045S-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 153722

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6B

ნაწილი საფონდო: 140857

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.47µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22-E3/5BT

ნაწილი საფონდო: 171103

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3080S-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 131164

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M15HM3/H

ნაწილი საფონდო: 67

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S3A-M3/9AT

ნაწილი საფონდო: 163833

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4001-M3/73

ნაწილი საფონდო: 185709

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V3PAL45HM3_A/I

ნაწილი საფონდო: 150166

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 540mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S2M-M3/5BT

ნაწილი საფონდო: 105744

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5M-E3/9AT

ნაწილი საფონდო: 173617

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20120SG-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 136593

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.33V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAJHM3/I

ნაწილი საფონდო: 118164

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.16V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.3µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PKHM3/85A

ნაწილი საფონდო: 112215

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB240S-E3/73

ნაწილი საფონდო: 149554

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PAJ-M3/I

ნაწილი საფონდო: 108873

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 2.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5A-M3/9AT

ნაწილი საფონდო: 169146

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF56-M3/6B

ნაწილი საფონდო: 125247

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 2.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3AHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 192553

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB44HE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 151530

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM12HM3/I

ნაწილი საფონდო: 81

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4002-E3/53

ნაწილი საფონდო: 143944

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PK-M3/85A

ნაწილი საფონდო: 159105

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 1.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9-E3/9AT

ნაწილი საფონდო: 122819

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120S-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 95199

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.12V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V3P6-M3/85A

ნაწილი საფონდო: 174187

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

S5KHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 178835

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4005-M3/73

ნაწილი საფონდო: 160600

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1005-E3/54

ნაწილი საფონდო: 186726

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

M2035S-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 153662

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PW12HM3/I

ნაწილი საფონდო: 122001

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3M-E3/H

ნაწილი საფონდო: 58

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.8µs,

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M6HM3/I

ნაწილი საფონდო: 90

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6HM3/I

ნაწილი საფონდო: 145

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P6L-M3/85A

ნაწილი საფონდო: 153285

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3DHE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 146438

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი