Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
UF4005-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4005-E3/53

ნაწილი საფონდო: 160389

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
SB2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2J-M3/5BT

ნაწილი საფონდო: 184694

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
RS2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2K-M3/52T

ნაწილი საფონდო: 186427

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
UF1006-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1006-E3/73

ნაწილი საფონდო: 193885

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
VS-5ECU06-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-5ECU06-M3/9AT

ნაწილი საფონდო: 188564

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 43ns,

სასურველი
SS26-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26-M3/52T

ნაწილი საფონდო: 116771

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RS3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3D-E3/9AT

ნაწილი საფონდო: 170329

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
SS1P5L-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P5L-M3/85A

ნაწილი საფონდო: 105589

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
CS3D-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3D-E3/H

ნაწილი საფონდო: 88

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.8µs,

სასურველი
UG1C-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1C-M3/54

ნაწილი საფონდო: 184643

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
SS22HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS22HE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 146400

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS29HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS29HE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 103

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VI20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100SG-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 137839

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.07V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-3ECH02HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3ECH02HM3/9AT

ნაწილი საფონდო: 186006

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SB530-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB530-E3/73

ნაწილი საფონდო: 147379

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RS2A-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2A-E3/5BT

ნაწილი საფონდო: 124076

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სასურველი
V30120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30120S-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 88060

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.28V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS23HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS23HE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 105527

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SB550-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB550-E3/73

ნაწილი საფონდო: 102573

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF1090-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1090-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 110231

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS2PH5HM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5HM3/84A

ნაწილი საფონდო: 167521

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RS3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3K-M3/9AT

ნაწილი საფონდო: 122331

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი
SS2PH6HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH6HM3/85A

ნაწილი საფონდო: 109335

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-3EGU06WHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EGU06WHM3/5BT

ნაწილი საფონდო: 129473

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 65ns,

სასურველი
SSC53L-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SSC53L-E3/9AT

ნაწილი საფონდო: 116724

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VS-10BQ030HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ030HM3/5BT

ნაწილი საფონდო: 174562

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS210-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS210-E3/5BT

ნაწილი საფონდო: 162247

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF30120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30120S-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 73959

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
V20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20100S-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 118173

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.07V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS2P6-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P6-M3/85A

ნაწილი საფონდო: 176753

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RS2JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2JHE3_A/H

ნაწილი საფონდო: 161165

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
SL44-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL44-E3/9AT

ნაწილი საფონდო: 194315

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 440mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
VF20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120SG-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 146902

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.33V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S5MS-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5MS-E3/57T

ნაწილი საფონდო: 159932

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 940mV @ 2.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
VF30100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100SG-M3/4W

ნაწილი საფონდო: 129122

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 910mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SL22HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22HE3_A/I

ნაწილი საფონდო: 150321

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 395mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი