ტრანზისტორები - JFET | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 4

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4416A-2

ნაწილი საფონდო: 3460

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4416A-E3

ნაწილი საფონდო: 3476

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4416A

ნაწილი საფონდო: 9913

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4416

ნაწილი საფონდო: 3466

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4393-E3

ნაწილი საფონდო: 3433

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4393-2

ნაწილი საფონდო: 3402

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4392-E3

ნაწილი საფონდო: 3449

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4392-2

ნაწილი საფონდო: 3467

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4391-2

ნაწილი საფონდო: 3382

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4339-2

ნაწილი საფონდო: 3437

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 100nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4339-E3

ნაწილი საფონდო: 3436

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 100nA,

სასურველი

Vishay Siliconix

2N4339

ნაწილი საფონდო: 3408

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 100nA,

სასურველი