დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 97

MBR40H35CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 57010

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

U20BCT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 124470

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H90CT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 3948

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4CHM3/87A

ნაწილი საფონდო: 3898

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 3937

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UB16CCT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 126421

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP6AT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 148746

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6BTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 132868

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTTRLP

ნაწილი საფონდო: 60076

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2080CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 80415

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2030CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 4421

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2035CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 4002

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA30TA60CSPBF

ნაწილი საფონდო: 24409

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1535CTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 3876

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 570mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10CCT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 156381

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08TB120STRLP

ნაწილი საფონდო: 26209

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1640CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 3963

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H100CTGE3/45

ნაწილი საფონდო: 3952

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2560CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 4018

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1040CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 4026

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045SPBF

ნაწილი საფონდო: 26229

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR2035CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 3952

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10DCT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 156338

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CSPBF

ნაწილი საფონდო: 25052

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1640CTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 3969

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H100CT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 4002

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10BCT-E3/4W

ნაწილი საფონდო: 156329

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PCCHM3/86A

ნაწილი საფონდო: 3911

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10H90CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 3950

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6CT-E3/45

ნაწილი საფონდო: 137765

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DT-E3/81

ნაწილი საფონდო: 107059

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2550CTHE3/45

ნაწილი საფონდო: 3972

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2090CT-1PBF

ნაწილი საფონდო: 77647

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H60CTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 3959

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB6DTHE3/81

ნაწილი საფონდო: 99433

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-115CNQ015ASLPBF

ნაწილი საფონდო: 10464

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 55A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 110A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი