Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
60CTQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

60CTQ045

ნაწილი საფონდო: 3720

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ10FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FNTRR

ნაწილი საფონდო: 3608

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ10FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FNTRL

ნაწილი საფონდო: 3641

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ06FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ06FNTRR

ნაწილი საფონდო: 3631

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ06FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ06FNTRL

ნაწილი საფონდო: 3694

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ04FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ04FNTRR

ნაწილი საფონდო: 3623

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ03FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ03FNTRR

ნაწილი საფონდო: 3678

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ04FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ04FNTRL

ნაწილი საფონდო: 3629

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ03FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ03FNTRL

ნაწილი საფონდო: 3676

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
63CPQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

63CPQ100

ნაწილი საფონდო: 4403

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ03FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ03FN

ნაწილი საფონდო: 3686

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ10FNTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FNTR

ნაწილი საფონდო: 3604

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ10FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ10FN

ნაწილი საფონდო: 3579

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ06FNTR
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ06FNTR

ნაწილი საფონდო: 3588

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
6CWQ04FN
Vishay Semiconductor Diodes Division

6CWQ04FN

ნაწილი საფონდო: 3610

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
70CRU02
Vishay Semiconductor Diodes Division

70CRU02

ნაწილი საფონდო: 3723

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.09V @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
72CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

72CPQ030

ნაწილი საფონდო: 3596

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
81CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASM

ნაწილი საფონდო: 4436

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
81CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045ASL

ნაწილი საფონდო: 4407

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ135APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135APBF

ნაწილი საფონდო: 3731

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ150APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150APBF

ნაწილი საფონდო: 3774

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ135ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASL

ნაწილი საფონდო: 4425

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ135A
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135A

ნაწილი საფონდო: 3677

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
80CNQ040A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040A

ნაწილი საფონდო: 3658

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
81CNQ040A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040A

ნაწილი საფონდო: 3692

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ135ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ135ASM

ნაწილი საფონდო: 3651

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
81CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ045A

ნაწილი საფონდო: 3682

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
80CNQ035A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035A

ნაწილი საფონდო: 3643

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
83CNQ080A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080A

ნაწილი საფონდო: 3661

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
81CNQ035A
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035A

ნაწილი საფონდო: 3661

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ150ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASL

ნაწილი საფონდო: 3663

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
89CNQ150ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150ASM

ნაწილი საფონდო: 3639

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 990mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
82CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASM

ნაწილი საფონდო: 3642

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
83CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASM

ნაწილი საფონდო: 3697

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
83CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100ASL

ნაწილი საფონდო: 3631

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
87CNQ020A
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020A

ნაწილი საფონდო: 3675

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი