Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
IRLL1905TR
Vishay Siliconix

IRLL1905TR

ნაწილი საფონდო: 9308

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta),

სასურველი
SIR642DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR642DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 96123

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
SUD25N04-25-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD25N04-25-T4-E3

ნაწილი საფონდო: 9481

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V,

სასურველი
SI2305ADS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2305ADS-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9345

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V,

სასურველი
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB415DK-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9323

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 4.17A, 10V,

სასურველი
IRF2807ZSTRL
Vishay Siliconix

IRF2807ZSTRL

ნაწილი საფონდო: 9393

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V,

სასურველი
SUM27N20-78-E3
Vishay Siliconix

SUM27N20-78-E3

ნაწილი საფონდო: 9313

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 6V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი
SIR788DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR788DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 139903

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი
SIR640DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR640DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9450

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3481DV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9413

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

სასურველი
SI1303DL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9407

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 670mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V,

სასურველი
SI5853CDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5853CDC-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 9404

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

სასურველი
IRF644N
Vishay Siliconix

IRF644N

ნაწილი საფონდო: 9177

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

სასურველი
SI7407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7407DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9387

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V,

სასურველი
IRFZ44R
Vishay Siliconix

IRFZ44R

ნაწილი საფონდო: 9161

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

სასურველი
SUM47N10-24L-E3
Vishay Siliconix

SUM47N10-24L-E3

ნაწილი საფონდო: 9288

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V,

სასურველი
SUM110N04-03-E3
Vishay Siliconix

SUM110N04-03-E3

ნაწილი საფონდო: 9456

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
SI9424BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9424BDY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 9338

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V,

სასურველი
IRLU3714TR
Vishay Siliconix

IRLU3714TR

ნაწილი საფონდო: 9321

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

სასურველი
SI4836DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4836DY-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 9523

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 12V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

სასურველი
SI4384DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4384DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 99155

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA811DJ-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 9358

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

სასურველი
IRFI620
Vishay Siliconix

IRFI620

ნაწილი საფონდო: 9269

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
IRF7822TRL
Vishay Siliconix

IRF7822TRL

ნაწილი საფონდო: 9261

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

სასურველი
IRFR9310PBF
Vishay Siliconix

IRFR9310PBF

ნაწილი საფონდო: 53149

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

სასურველი
IRFB16N50K
Vishay Siliconix

IRFB16N50K

ნაწილი საფონდო: 9492

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

სასურველი
SI5402BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5402BDC-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 9317

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

სასურველი
SI1402DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1402DH-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 9470

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V,

სასურველი
SIR878DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR878DP-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 73118

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
SI1411DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 5957

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 420mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
IRF644NS
Vishay Siliconix

IRF644NS

ნაწილი საფონდო: 9208

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

სასურველი
SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix

SI2302ADS-T1

ნაწილი საფონდო: 9447

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

სასურველი
IRF3314STRL
Vishay Siliconix

IRF3314STRL

ნაწილი საფონდო: 9228

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V,

სასურველი
IRFB13N50A
Vishay Siliconix

IRFB13N50A

ნაწილი საფონდო: 9258

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 8.4A, 10V,

სასურველი
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3481DV-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 9272

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V,

სასურველი
SUM110N03-03P-E3
Vishay Siliconix

SUM110N03-03P-E3

ნაწილი საფონდო: 9469

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი