Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
SIHA15N50E-E3
Vishay Siliconix

SIHA15N50E-E3

ნაწილი საფონდო: 30356

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7.5A, 10V,

სასურველი
IRFU9110PBF
Vishay Siliconix

IRFU9110PBF

ნაწილი საფონდო: 41410

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

სასურველი
SIHG25N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG25N50E-GE3

ნაწილი საფონდო: 29025

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

სასურველი
IRF740BPBF
Vishay Siliconix

IRF740BPBF

ნაწილი საფონდო: 44136

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 5A, 10V,

სასურველი
SUP57N20-33-E3
Vishay Siliconix

SUP57N20-33-E3

ნაწილი საფონდო: 14178

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IRFS11N50ATRRP
Vishay Siliconix

IRFS11N50ATRRP

ნაწილი საფონდო: 41989

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

სასურველი
IRFZ48RSPBF
Vishay Siliconix

IRFZ48RSPBF

ნაწილი საფონდო: 36649

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

სასურველი
IRFI9520GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9520GPBF

ნაწილი საფონდო: 31709

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.1A, 10V,

სასურველი
IRFP048RPBF
Vishay Siliconix

IRFP048RPBF

ნაწილი საფონდო: 22091

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 44A, 10V,

სასურველი
IRFP064PBF
Vishay Siliconix

IRFP064PBF

ნაწილი საფონდო: 16756

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 78A, 10V,

სასურველი
SIHG15N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG15N60E-GE3

ნაწილი საფონდო: 19956

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

სასურველი
IRFIZ14GPBF
Vishay Siliconix

IRFIZ14GPBF

ნაწილი საფონდო: 40267

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 10V,

სასურველი
SUA70060E-E3
Vishay Siliconix

SUA70060E-E3

ნაწილი საფონდო: 39375

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 56.6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 7.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IRFI9634GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9634GPBF

ნაწილი საფონდო: 22202

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
IRFPC60LCPBF
Vishay Siliconix

IRFPC60LCPBF

ნაწილი საფონდო: 12119

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 9.6A, 10V,

სასურველი
IRF9610PBF
Vishay Siliconix

IRF9610PBF

ნაწილი საფონდო: 46389

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 900mA, 10V,

სასურველი
SIHW47N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHW47N60E-GE3

ნაწილი საფონდო: 6854

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 24A, 10V,

სასურველი
IRF620PBF
Vishay Siliconix

IRF620PBF

ნაწილი საფონდო: 69120

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

სასურველი
IRFP32N50KPBF
Vishay Siliconix

IRFP32N50KPBF

ნაწილი საფონდო: 9921

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 32A, 10V,

სასურველი
IRFPF40PBF
Vishay Siliconix

IRFPF40PBF

ნაწილი საფონდო: 19281

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.8A, 10V,

სასურველი
SIHG22N50D-E3
Vishay Siliconix

SIHG22N50D-E3

ნაწილი საფონდო: 16654

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 11A, 10V,

სასურველი
IRFP054PBF
Vishay Siliconix

IRFP054PBF

ნაწილი საფონდო: 19510

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 54A, 10V,

სასურველი
IRFBE20PBF
Vishay Siliconix

IRFBE20PBF

ნაწილი საფონდო: 53163

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 800V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

სასურველი
IRFPC50APBF
Vishay Siliconix

IRFPC50APBF

ნაწილი საფონდო: 21119

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 6A, 10V,

სასურველი
IRFIBE20GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBE20GPBF

ნაწილი საფონდო: 22636

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 800V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 840mA, 10V,

სასურველი
SUP60030E-GE3
Vishay Siliconix

SUP60030E-GE3

ნაწილი საფონდო: 21679

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 7.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
IRFP9140PBF
Vishay Siliconix

IRFP9140PBF

ნაწილი საფონდო: 27241

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

სასურველი
IRL640PBF
Vishay Siliconix

IRL640PBF

ნაწილი საფონდო: 27269

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

სასურველი
SIHG11N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG11N80E-GE3

ნაწილი საფონდო: 2666

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 800V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

სასურველი
IRF620STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF620STRRPBF

ნაწილი საფონდო: 63954

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

სასურველი
SUD80460E-GE3
Vishay Siliconix

SUD80460E-GE3

ნაწილი საფონდო: 67268

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 44.7 mOhm @ 8.3A, 10V,

სასურველი
IRFIB5N65APBF
Vishay Siliconix

IRFIB5N65APBF

ნაწილი საფონდო: 19493

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 930 mOhm @ 3.1A, 10V,

სასურველი
IRFBC40ASTRLPBF
Vishay Siliconix

IRFBC40ASTRLPBF

ნაწილი საფონდო: 27834

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

სასურველი
IRFI740GPBF
Vishay Siliconix

IRFI740GPBF

ნაწილი საფონდო: 27233

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 3.2A, 10V,

სასურველი
IRFPS37N50APBF
Vishay Siliconix

IRFPS37N50APBF

ნაწილი საფონდო: 8753

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

სასურველი
IRFIBC40GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBC40GPBF

ნაწილი საფონდო: 19520

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V,

სასურველი