ნაწილი საფონდო: 221
FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 7.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,