ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C1J200RBTG

RN73C1J200RBTG

ნაწილი საფონდო: 43630

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K13BTG

RN73C2A1K13BTG

ნაწილი საფონდო: 43592

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A12K7BTG

RN73C2A12K7BTG

ნაწილი საფონდო: 43662

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J75KBTG

RN73C1J75KBTG

ნაწილი საფონდო: 78892

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J511RBTG

RN73C1J511RBTG

ნაწილი საფონდო: 43636

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A10KBTG

RN73C2A10KBTG

ნაწილი საფონდო: 43685

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K0BTG

RN73C1J2K0BTG

ნაწილი საფონდო: 43629

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K49BTG

RN73C2A2K49BTG

ნაწილი საფონდო: 43636

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A619RBTG

RN73C2A619RBTG

ნაწილი საფონდო: 43661

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A28KBTG

RN73C2A28KBTG

ნაწილი საფონდო: 43684

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J61R9BTG

RN73C1J61R9BTG

ნაწილი საფონდო: 43664

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73U1E10MJTN

RH73U1E10MJTN

ნაწილი საფონდო: 49662

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A86K6BTG

RN73C2A86K6BTG

ნაწილი საფონდო: 43638

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A237RBTG

RN73C2A237RBTG

ნაწილი საფონდო: 43646

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J2K15BTG

RN73C1J2K15BTG

ნაწილი საფონდო: 43596

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A10RBTG

RN73C2A10RBTG

ნაწილი საფონდო: 43603

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J56R2BTG

RN73C1J56R2BTG

ნაწილი საფონდო: 43624

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J15KBTG

RN73C1J15KBTG

ნაწილი საფონდო: 43633

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A34K8BTG

RN73C2A34K8BTG

ნაწილი საფონდო: 43679

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A47KBTG

RN73C2A47KBTG

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J3K01BTG

RN73C1J3K01BTG

ნაწილი საფონდო: 43651

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73U2B1G0JTN

RH73U2B1G0JTN

ნაწილი საფონდო: 47684

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A49R9BTG

RN73C2A49R9BTG

ნაწილი საფონდო: 43604

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J75RBTG

RN73C1J75RBTG

ნაწილი საფონდო: 43687

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A340RBTG

RN73C2A340RBTG

ნაწილი საფონდო: 43659

წინააღმდეგობა: 340 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J33K2BTG

RN73C1J33K2BTG

ნაწილი საფონდო: 43627

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A806RBTG

RN73C2A806RBTG

ნაწილი საფონდო: 43607

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A30K9BTG

RN73C2A30K9BTG

ნაწილი საფონდო: 43657

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A15KBTG

RN73C2A15KBTG

ნაწილი საფონდო: 43665

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73X2B10GKTN

RH73X2B10GKTN

ნაწილი საფონდო: 51021

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
RN73A2B24KBTG

RN73A2B24KBTG

ნაწილი საფონდო: 41119

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RN73A2B3K01BTG

RN73A2B3K01BTG

ნაწილი საფონდო: 41180

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RN73A2B825RBTG

RN73A2B825RBTG

ნაწილი საფონდო: 41206

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RN73A2B499RBTG

RN73A2B499RBTG

ნაწილი საფონდო: 41175

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RN73A1J1K24BTG

RN73A1J1K24BTG

ნაწილი საფონდო: 47128

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RN73A2B3?09BTG

RN73A2B3?09BTG

ნაწილი საფონდო: 41192

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი