ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73A2A10KBTG

RN73A2A10KBTG

ნაწილი საფონდო: 30619

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
CGSSL2R068J

CGSSL2R068J

ნაწილი საფონდო: 34999

წინააღმდეგობა: 68 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SL1R01JT

SL1R01JT

ნაწილი საფონდო: 31971

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SL2R005JT

SL2R005JT

ნაწილი საფონდო: 35043

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CGSSL2R051J

CGSSL2R051J

ნაწილი საფონდო: 35014

წინააღმდეგობა: 51 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SL1R05JT

SL1R05JT

ნაწილი საფონდო: 32025

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RN73A2A390RBTG

RN73A2A390RBTG

ნაწილი საფონდო: 30620

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B150RATG

RN73C2B150RATG

ნაწილი საფონდო: 31386

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SL1R082JT

SL1R082JT

ნაწილი საფონდო: 25922

სასურველი
CGSSL2R015J

CGSSL2R015J

ნაწილი საფონდო: 35016

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CGSSL2R033J

CGSSL2R033J

ნაწილი საფონდო: 34984

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CGSSL1R047J

CGSSL1R047J

ნაწილი საფონდო: 31976

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SL1R051JT

SL1R051JT

ნაწილი საფონდო: 32027

წინააღმდეგობა: 51 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CGSSL1R01J

CGSSL1R01J

ნაწილი საფონდო: 31991

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RH73W2A1G0JTN

RH73W2A1G0JTN

ნაწილი საფონდო: 42417

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
RH73U1J1G0KTN

RH73U1J1G0KTN

ნაწილი საფონდო: 45315

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.075W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A10KLTDF

RN73C2A10KLTDF

ნაწილი საფონდო: 39989

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K0LTDF

RN73C2A2K0LTDF

ნაწილი საფონდო: 35194

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K27LTDF

RN73C2A1K27LTDF

ნაწილი საფონდო: 39940

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A5K9LTDF

RN73C2A5K9LTDF

ნაწილი საფონდო: 40023

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K0LTDF

RN73C2A1K0LTDF

ნაწილი საფონდო: 40011

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J10KLTDF

RN73C1J10KLTDF

ნაწილი საფონდო: 39980

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A100KLTDF

RN73C2A100KLTDF

ნაწილი საფონდო: 39945

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73X2A20GNTN

RH73X2A20GNTN

ნაწილი საფონდო: 44359

წინააღმდეგობა: 20 GOhms, ტოლერანტობა: ±30%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A102KLTDF

RN73C2A102KLTDF

ნაწილი საფონდო: 40017

წინააღმდეგობა: 102 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J100RBTG

RN73C1J100RBTG

ნაწილი საფონდო: 43646

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J4K99BTG

RN73C1J4K99BTG

ნაწილი საფონდო: 43664

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A20KBTG

RN73C2A20KBTG

ნაწილი საფონდო: 43641

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J49R9BTG

RN73C1J49R9BTG

ნაწილი საფონდო: 43610

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A100RBTG

RN73C2A100RBTG

ნაწილი საფონდო: 43626

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K0BTG

RN73C2A2K0BTG

ნაწილი საფონდო: 43678

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J499RBTG

RN73C1J499RBTG

ნაწილი საფონდო: 43668

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A953RBTG

RN73C2A953RBTG

ნაწილი საფონდო: 43596

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A2K37BTG

RN73C2A2K37BTG

ნაწილი საფონდო: 78926

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A1K0BTG

RN73C2A1K0BTG

ნაწილი საფონდო: 43655

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A20RBTG

RN73C2A20RBTG

ნაწილი საფონდო: 43619

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი