ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9-1879359-7

9-1879359-7

ნაწილი საფონდო: 78905

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
9-1879359-8

9-1879359-8

ნაწილი საფონდო: 78853

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
9-1879358-9

9-1879358-9

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
9-1879361-9

9-1879361-9

ნაწილი საფონდო: 78914

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
9-1879359-5

9-1879359-5

ნაწილი საფონდო: 78908

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
9-1879360-4

9-1879360-4

ნაწილი საფონდო: 78940

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
9-2176093-4

9-2176093-4

ნაწილი საფონდო: 141410

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176089-2

9-2176089-2

ნაწილი საფონდო: 117283

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176091-8

9-2176091-8

ნაწილი საფონდო: 100350

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176091-0

9-2176091-0

ნაწილი საფონდო: 106917

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176089-1

9-2176089-1

ნაწილი საფონდო: 182799

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-9

9-2176092-9

ნაწილი საფონდო: 198361

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176088-4

9-2176088-4

ნაწილი საფონდო: 113664

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176089-8

9-2176089-8

ნაწილი საფონდო: 145683

წინააღმდეგობა: 124 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-1625868-1

9-1625868-1

ნაწილი საფონდო: 191901

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-1625868-0

9-1625868-0

ნაწილი საფონდო: 150132

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176088-7

9-2176088-7

ნაწილი საფონდო: 114235

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-1625868-4

9-1625868-4

ნაწილი საფონდო: 127691

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-0

9-2176092-0

ნაწილი საფონდო: 145930

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-5

9-2176092-5

ნაწილი საფონდო: 177026

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-7

9-2176092-7

ნაწილი საფონდო: 113681

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176091-9

9-2176091-9

ნაწილი საფონდო: 136937

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176091-6

9-2176091-6

ნაწილი საფონდო: 124475

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176091-1

9-2176091-1

ნაწილი საფონდო: 156555

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176093-1

9-2176093-1

ნაწილი საფონდო: 152829

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-4

9-2176092-4

ნაწილი საფონდო: 197359

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176088-1

9-2176088-1

ნაწილი საფონდო: 146491

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-1625868-6

9-1625868-6

ნაწილი საფონდო: 191186

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-8

9-2176092-8

ნაწილი საფონდო: 188550

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176093-0

9-2176093-0

ნაწილი საფონდო: 184425

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176092-2

9-2176092-2

ნაწილი საფონდო: 103368

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176088-3

9-2176088-3

ნაწილი საფონდო: 186673

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-1625868-7

9-1625868-7

ნაწილი საფონდო: 169039

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176093-6

9-2176093-6

ნაწილი საფონდო: 173538

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-1625868-9

9-1625868-9

ნაწილი საფონდო: 103169

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
9-2176088-2

9-2176088-2

ნაწილი საფონდო: 102213

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი