ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

7-1622821-1

7-1622821-1

ნაწილი საფონდო: 9460

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
7-1879359-9

7-1879359-9

ნაწილი საფონდო: 78951

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879359-7

7-1879359-7

ნაწილი საფონდო: 78872

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879360-6

7-1879360-6

ნაწილი საფონდო: 78828

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879361-2

7-1879361-2

ნაწილი საფონდო: 78901

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879359-5

7-1879359-5

ნაწილი საფონდო: 78848

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879357-1

7-1879357-1

ნაწილი საფონდო: 78881

წინააღმდეგობა: 402 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879360-3

7-1879360-3

ნაწილი საფონდო: 78859

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879360-9

7-1879360-9

ნაწილი საფონდო: 78907

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879361-3

7-1879361-3

ნაწილი საფონდო: 78918

წინააღმდეგობა: 32.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879360-1

7-1879360-1

ნაწილი საფონდო: 78911

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879360-4

7-1879360-4

ნაწილი საფონდო: 78916

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879361-4

7-1879361-4

ნაწილი საფონდო: 78829

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879361-0

7-1879361-0

ნაწილი საფონდო: 78914

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879358-2

7-1879358-2

ნაწილი საფონდო: 78907

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879358-0

7-1879358-0

ნაწილი საფონდო: 78874

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1879359-4

7-1879359-4

ნაწილი საფონდო: 78921

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
7-1622825-5

7-1622825-5

ნაწილი საფონდო: 158593

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
7-2176088-7

7-2176088-7

ნაწილი საფონდო: 135712

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176091-4

7-2176091-4

ნაწილი საფონდო: 188585

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-1625868-1

7-1625868-1

ნაწილი საფონდო: 119923

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176089-8

7-2176089-8

ნაწილი საფონდო: 142981

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176093-6

7-2176093-6

ნაწილი საფონდო: 165119

წინააღმდეგობა: 63.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176093-2

7-2176093-2

ნაწილი საფონდო: 115214

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176088-0

7-2176088-0

ნაწილი საფონდო: 177614

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-1625868-2

7-1625868-2

ნაწილი საფონდო: 128034

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176092-0

7-2176092-0

ნაწილი საფონდო: 196885

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-1625868-6

7-1625868-6

ნაწილი საფონდო: 182440

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176092-1

7-2176092-1

ნაწილი საფონდო: 114441

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176089-4

7-2176089-4

ნაწილი საფონდო: 191335

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176091-9

7-2176091-9

ნაწილი საფონდო: 183242

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176089-6

7-2176089-6

ნაწილი საფონდო: 160632

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176092-7

7-2176092-7

ნაწილი საფონდო: 187985

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-1625868-7

7-1625868-7

ნაწილი საფონდო: 189603

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176093-7

7-2176093-7

ნაწილი საფონდო: 193229

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
7-2176088-5

7-2176088-5

ნაწილი საფონდო: 129180

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.167W, 1/6W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი