ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

CRGS2010J10R

CRGS2010J10R

ნაწილი საფონდო: 106577

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J22K

CRGS2010J22K

ნაწილი საფონდო: 115657

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J6K8

CRGS2010J6K8

ნაწილი საფონდო: 197291

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J4M7

CRGS2010J4M7

ნაწილი საფონდო: 132664

წინააღმდეგობა: 4.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J15R

CRGS2010J15R

ნაწილი საფონდო: 152718

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J680K

CRGS2010J680K

ნაწილი საფონდო: 161880

წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J470K

CRGS2010J470K

ნაწილი საფონდო: 150482

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J120R

CRGS2010J120R

ნაწილი საფონდო: 111491

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J3R3

CRGS2010J3R3

ნაწილი საფონდო: 105494

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J100K

CRGS2010J100K

ნაწილი საფონდო: 158736

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J27R

CRGS2010J27R

ნაწილი საფონდო: 102587

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J820K

CRGS2010J820K

ნაწილი საფონდო: 113946

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J15K

CRGS2010J15K

ნაწილი საფონდო: 128211

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J680R

CRGS2010J680R

ნაწილი საფონდო: 145762

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J82K

CRGS2010J82K

ნაწილი საფონდო: 141129

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J560R

CRGS2010J560R

ნაწილი საფონდო: 108945

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J18R

CRGS2010J18R

ნაწილი საფონდო: 123851

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J2M2

CRGS2010J2M2

ნაწილი საფონდო: 100068

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J2K2

CRGS2010J2K2

ნაწილი საფონდო: 181206

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J150K

CRGS2010J150K

ნაწილი საფონდო: 168134

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J820R

CRGS2010J820R

ნაწილი საფონდო: 141824

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J8M2

CRGS2010J8M2

ნაწილი საფონდო: 131940

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J5K6

CRGS2010J5K6

ნაწილი საფონდო: 128077

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1K5

CRGS2010J1K5

ნაწილი საფონდო: 148665

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J56K

CRGS2010J56K

ნაწილი საფონდო: 194201

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J10M

CRGS2010J10M

ნაწილი საფონდო: 124710

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J56R

CRGS2010J56R

ნაწილი საფონდო: 178740

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J82R

CRGS2010J82R

ნაწილი საფონდო: 148994

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J4R7

CRGS2010J4R7

ნაწილი საფონდო: 162330

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J3M3

CRGS2010J3M3

ნაწილი საფონდო: 100401

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
FCR1206J39R

FCR1206J39R

ნაწილი საფონდო: 105922

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Fusible, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
CPF0603B45K3E1

CPF0603B45K3E1

ნაწილი საფონდო: 171145

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
CRGS1206J10R

CRGS1206J10R

ნაწილი საფონდო: 126676

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C,

სასურველი
CRGS1206J10M

CRGS1206J10M

ნაწილი საფონდო: 174885

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS1206J8M2

CRGS1206J8M2

ნაწილი საფონდო: 151757

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS1206J470K

CRGS1206J470K

ნაწილი საფონდო: 130667

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.6W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი