ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

CRGS2010J1M2

CRGS2010J1M2

ნაწილი საფონდო: 128464

წინააღმდეგობა: 1.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1M8

CRGS2010J1M8

ნაწილი საფონდო: 123888

წინააღმდეგობა: 1.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J6M8

CRGS2010J6M8

ნაწილი საფონდო: 110250

წინააღმდეგობა: 6.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J220R

CRGS2010J220R

ნაწილი საფონდო: 178657

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1K2

CRGS2010J1K2

ნაწილი საფონდო: 159693

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J12R

CRGS2010J12R

ნაწილი საფონდო: 174317

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J2R7

CRGS2010J2R7

ნაწილი საფონდო: 126391

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J4K7

CRGS2010J4K7

ნაწილი საფონდო: 181810

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J180R

CRGS2010J180R

ნაწილი საფონდო: 106410

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J18K

CRGS2010J18K

ნაწილი საფონდო: 154806

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1R8

CRGS2010J1R8

ნაწილი საფონდო: 162170

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J390R

CRGS2010J390R

ნაწილი საფონდო: 100262

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J470R

CRGS2010J470R

ნაწილი საფონდო: 132998

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J10K

CRGS2010J10K

ნაწილი საფონდო: 178179

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J270R

CRGS2010J270R

ნაწილი საფონდო: 111937

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J6R8

CRGS2010J6R8

ნაწილი საფონდო: 166857

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J330R

CRGS2010J330R

ნაწილი საფონდო: 198402

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J68K

CRGS2010J68K

ნაწილი საფონდო: 191727

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J27K

CRGS2010J27K

ნაწილი საფონდო: 155574

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J3K9

CRGS2010J3K9

ნაწილი საფონდო: 128383

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1K8

CRGS2010J1K8

ნაწილი საფონდო: 122966

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J120K

CRGS2010J120K

ნაწილი საფონდო: 111762

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1K0

CRGS2010J1K0

ნაწილი საფონდო: 135005

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J330K

CRGS2010J330K

ნაწილი საფონდო: 122128

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J5R6

CRGS2010J5R6

ნაწილი საფონდო: 144664

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J560K

CRGS2010J560K

ნაწილი საფონდო: 149141

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J3M9

CRGS2010J3M9

ნაწილი საფონდო: 175676

წინააღმდეგობა: 3.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J270K

CRGS2010J270K

ნაწილი საფონდო: 146288

წინააღმდეგობა: 270 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J2R2

CRGS2010J2R2

ნაწილი საფონდო: 123804

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J2K7

CRGS2010J2K7

ნაწილი საფონდო: 124973

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1M5

CRGS2010J1M5

ნაწილი საფონდო: 112629

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J150R

CRGS2010J150R

ნაწილი საფონდო: 132679

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J33K

CRGS2010J33K

ნაწილი საფონდო: 109860

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1R2

CRGS2010J1R2

ნაწილი საფონდო: 191731

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J39K

CRGS2010J39K

ნაწილი საფონდო: 172

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J8R2

CRGS2010J8R2

ნაწილი საფონდო: 131930

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი