ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

CRGS2512J3M9

CRGS2512J3M9

ნაწილი საფონდო: 156366

წინააღმდეგობა: 3.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J33R

CRGS2512J33R

ნაწილი საფონდო: 136713

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J47R

CRGS2512J47R

ნაწილი საფონდო: 101073

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J470R

CRGS2512J470R

ნაწილი საფონდო: 134503

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J1K5

CRGS2512J1K5

ნაწილი საფონდო: 166007

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J1R5

CRGS2512J1R5

ნაწილი საფონდო: 168098

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J2M2

CRGS2512J2M2

ნაწილი საფონდო: 141094

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J150K

CRGS2512J150K

ნაწილი საფონდო: 181379

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J820K

CRGS2512J820K

ნაწილი საფონდო: 144479

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J5M6

CRGS2512J5M6

ნაწილი საფონდო: 159288

წინააღმდეგობა: 5.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J2R7

CRGS2512J2R7

ნაწილი საფონდო: 167774

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J220K

CRGS2512J220K

ნაწილი საფონდო: 107988

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J33K

CRGS2512J33K

ნაწილი საფონდო: 135699

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2512J6R8

CRGS2512J6R8

ნაწილი საფონდო: 193300

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J10RBTD

RN73C1J10RBTD

ნაწილი საფონდო: 133438

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A28KBTD

RN73C2A28KBTD

ნაწილი საფონდო: 162435

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RP73D2B274RBTD

RP73D2B274RBTD

ნაწილი საფონდო: 136946

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J2M7

CRGS2010J2M7

ნაწილი საფონდო: 128605

წინააღმდეგობა: 2.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J390K

CRGS2010J390K

ნაწილი საფონდო: 116539

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J12K

CRGS2010J12K

ნაწილი საფონდო: 138921

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1M0

CRGS2010J1M0

ნაწილი საფონდო: 118830

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J5M6

CRGS2010J5M6

ნაწილი საფონდო: 129568

წინააღმდეგობა: 5.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J3K3

CRGS2010J3K3

ნაწილი საფონდო: 151127

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J33R

CRGS2010J33R

ნაწილი საფონდო: 118028

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J22R

CRGS2010J22R

ნაწილი საფონდო: 159775

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J180K

CRGS2010J180K

ნაწილი საფონდო: 184049

წინააღმდეგობა: 180 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J39R

CRGS2010J39R

ნაწილი საფონდო: 162779

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J3R9

CRGS2010J3R9

ნაწილი საფონდო: 136457

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J47R

CRGS2010J47R

ნაწილი საფონდო: 176141

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J220K

CRGS2010J220K

ნაწილი საფონდო: 122701

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J47K

CRGS2010J47K

ნაწილი საფონდო: 173439

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1R5

CRGS2010J1R5

ნაწილი საფონდო: 108889

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J1R0

CRGS2010J1R0

ნაწილი საფონდო: 165621

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J68R

CRGS2010J68R

ნაწილი საფონდო: 185275

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J100R

CRGS2010J100R

ნაწილი საფონდო: 198281

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CRGS2010J8K2

CRGS2010J8K2

ნაწილი საფონდო: 165945

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი