კერამიკული კონდენსატორები

C2012C0G2W392K125AA

C2012C0G2W392K125AA

ნაწილი საფონდო: 147954

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 450V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA9N2X7R2A105K230KA

CGA9N2X7R2A105K230KA

ნაწილი საფონდო: 98942

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X6S1A105K050BC

C1005X6S1A105K050BC

ნაწილი საფონდო: 172947

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X5R1H153K050BB

C1005X5R1H153K050BB

ნაწილი საფონდო: 167079

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005CH2A821J050BC

C1005CH2A821J050BC

ნაწილი საფონდო: 177600

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
C1608X8R1E683M080AE

C1608X8R1E683M080AE

ნაწილი საფონდო: 158101

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C1005CH2A681K050BC

C1005CH2A681K050BC

ნაწილი საფონდო: 186405

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: CH, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
CGA4F2X8R1H333K085AM

CGA4F2X8R1H333K085AM

ნაწილი საფონდო: 4798

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C3225X7R2A474K200AA

C3225X7R2A474K200AA

ნაწილი საფონდო: 109500

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA5L3X5R1H335M160AB

CGA5L3X5R1H335M160AB

ნაწილი საფონდო: 152031

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
C3225X5R1H335K250AB

C3225X5R1H335K250AB

ნაწილი საფონდო: 187496

ტევადობა: 3.3µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608C0G2E182K080AA

C1608C0G2E182K080AA

ნაწილი საფონდო: 166557

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R1H103K080AA

C1608X5R1H103K080AA

ნაწილი საფონდო: 147794

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608X8R1E683K080AE

C1608X8R1E683K080AE

ნაწილი საფონდო: 110607

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
CGA4F2X8R1H223K085AM

CGA4F2X8R1H223K085AM

ნაწილი საფონდო: 8693

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C3216X7R2E223K115AA

C3216X7R2E223K115AA

ნაწილი საფონდო: 156073

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C0402C0G1C510J

C0402C0G1C510J

ნაწილი საფონდო: 6180

ტევადობა: 51pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R1A155M080AB

C1608X5R1A155M080AB

ნაწილი საფონდო: 8664

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1005X6S1V683M050BB

C1005X6S1V683M050BB

ნაწილი საფონდო: 184011

ტევადობა: 0.068µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGJ2B2X7R1C153K050BA

CGJ2B2X7R1C153K050BA

ნაწილი საფონდო: 123656

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X8R2A681M050BE

C1005X8R2A681M050BE

ნაწილი საფონდო: 153929

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
C1608C0G1H821K080AA

C1608C0G1H821K080AA

ნაწილი საფონდო: 101704

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C2012X7R2E102K085AM

C2012X7R2E102K085AM

ნაწილი საფონდო: 158996

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C1005X7R1V153K050BB

C1005X7R1V153K050BB

ნაწილი საფონდო: 135356

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 35V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C0603C0G1E1R6C030BF

C0603C0G1E1R6C030BF

ნაწილი საფონდო: 875

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
C0603C0G1E560J030BA

C0603C0G1E560J030BA

ნაწილი საფონდო: 189040

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
CGA4J2X7R1E224K125AA

CGA4J2X7R1E224K125AA

ნაწილი საფონდო: 168480

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
CGA8Q3X7R1E156M280KB

CGA8Q3X7R1E156M280KB

ნაწილი საფონდო: 131943

ტევადობა: 15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1608X5R1A155K080AB

C1608X5R1A155K080AB

ნაწილი საფონდო: 8450

ტევადობა: 1.5µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608NP01H391J080AA

C1608NP01H391J080AA

ნაწილი საფონდო: 184230

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C3225NP01H333J160AA

C3225NP01H333J160AA

ნაწილი საფონდო: 176212

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
C2012X7R2A223K125AM

C2012X7R2A223K125AM

ნაწილი საფონდო: 168409

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Open Mode,

სასურველი
C1005X5R1C333M050BA

C1005X5R1C333M050BA

ნაწილი საფონდო: 112906

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C, მახასიათებლები: Low ESL,

სასურველი
C1608NP02A561J080AA

C1608NP02A561J080AA

ნაწილი საფონდო: 129714

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: High Temperature,

სასურველი
CGJ4J2X7R1H104K125AA

CGJ4J2X7R1H104K125AA

ნაწილი საფონდო: 140977

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
C1005X8R2A331M050BE

C1005X8R2A331M050BE

ნაწილი საფონდო: 192126

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი