ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608N-5902-C-T5

RG1608N-5902-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8114

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1150-C-T5

RG1608N-1150-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7938

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1472-C-T5

RG1608N-1472-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8108

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2803-B-T1

RG1608P-2803-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7779

წინააღმდეგობა: 280 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7150-B-T1

RG1608P-7150-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7585

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-161-C-T5

RG1608P-161-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8207

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-8252-C-T5

RG1608N-8252-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8166

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7680-B-T1

RG1608P-7680-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7556

წინააღმდეგობა: 768 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1183-B-T1

RG1608P-1183-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7747

წინააღმდეგობა: 118 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4990-B-T1

RG1608P-4990-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7557

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2940-C-T5

RG1608N-2940-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8005

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-56R2-C-T5

RG1608N-56R2-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4834

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-363-C-T5

RG1608N-363-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7919

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-1131-C-T5

RG1608V-1131-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7860

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-2260-C-T5

RG1608V-2260-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7846

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-162-C-T5

RG1608P-162-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8218

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1180-B-T1

RG1608P-1180-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7582

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-1960-C-T5

RG1608V-1960-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7788

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-274-B-T1

RG1608P-274-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4825

წინააღმდეგობა: 270 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-161-C-T5

RG1608N-161-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7916

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-111-C-T5

RG1608N-111-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7883

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2943-B-T1

RG1608P-2943-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7700

წინააღმდეგობა: 294 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2670-C-T5

RG1608N-2670-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7979

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-153-C-T5

RG1608N-153-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7891

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-6650-C-T5

RG1608N-6650-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8021

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-821-C-T5

RG1608N-821-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7943

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-7150-C-T5

RG1608N-7150-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7991

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3832-C-T5

RG1608N-3832-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8151

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-5360-C-T5

RG1608N-5360-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8053

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1271-B-T1

RG1608P-1271-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7591

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-7151-B-T1

RG1608P-7151-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7667

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1960-B-T1

RG1608P-1960-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7553

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-2743-B-T1

RG1608P-2743-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7748

წინააღმდეგობა: 274 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-111-C-T5

RG1608V-111-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7722

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-680-C-T5

RG1608P-680-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8147

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1273-C-T5

RG1608N-1273-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4898

წინააღმდეგობა: 127 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი