ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1608N-361-C-T5

RG1608N-361-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7930

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-512-C-T5

RG1608P-512-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8225

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-7870-C-T5

RG1608N-7870-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8054

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-9310-C-T5

RG1608V-9310-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7871

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-152-B-T1

RG1608P-152-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7487

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-5361-C-T5

RG1608N-5361-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8074

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-4531-C-T5

RG1608V-4531-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4805

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1272-C-T5

RG1608N-1272-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4894

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-681-C-T5

RG1608N-681-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7876

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6650-B-T1

RG1608P-6650-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7589

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1210-B-T1

RG1608P-1210-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7522

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-6980-B-T1

RG1608P-6980-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7555

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5231-B-T1

RG1608P-5231-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4841

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3091-C-T5

RG1608N-3091-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8090

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-5231-C-T5

RG1608N-5231-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8048

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1331-C-T5

RG1608N-1331-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8008

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-73R2-C-T5

RG1608N-73R2-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7968

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-3482-C-T5

RG1608N-3482-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8161

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-3572-B-T1

RG1608P-3572-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4830

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2100-C-T5

RG1608N-2100-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8027

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-361-B-T1

RG1608P-361-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7462

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-361-C-T5

RG1608P-361-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8219

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1372-B-T1

RG1608P-1372-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7684

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-5761-B-T1

RG1608P-5761-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7624

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-1021-C-T5

RG1608N-1021-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7986

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-3321-C-T5

RG1608V-3321-C-T5

ნაწილი საფონდო: 4835

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4751-B-T1

RG1608P-4751-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7680

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2052-C-T5

RG1608N-2052-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8075

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4322-B-T1

RG1608P-4322-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7746

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2372-C-T5

RG1608N-2372-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8165

წინააღმდეგობა: 23.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-9311-C-T5

RG1608N-9311-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8126

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608V-3570-C-T5

RG1608V-3570-C-T5

ნაწილი საფონდო: 7786

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1608N-2260-C-T5

RG1608N-2260-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8014

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-1470-B-T1

RG1608P-1470-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7556

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-4220-B-T1

RG1608P-4220-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7559

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1608P-202-C-T5

RG1608P-202-C-T5

ნაწილი საფონდო: 8180

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი