ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

WW5JT200R

WW5JT200R

ნაწილი საფონდო: 109926

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JTR400

WW3JTR400

ნაწილი საფონდო: 196379

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW12JB120R

WW12JB120R

ნაწილი საფონდო: 151182

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT2K70

WW1JT2K70

ნაწილი საფონდო: 182763

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW5JT270R

WW5JT270R

ნაწილი საფონდო: 162862

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR820

WW1JTR820

ნაწილი საფონდო: 133085

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW2AJBR100

WW2AJBR100

ნაწილი საფონდო: 171634

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW4JB150R

WW4JB150R

ნაწილი საფონდო: 134423

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW4JB1K60

WW4JB1K60

ნაწილი საფონდო: 182224

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RSF3FT200R

RSF3FT200R

ნაწილი საფონდო: 112021

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
WW1FT768R

WW1FT768R

ნაწილი საფონდო: 103856

წინააღმდეგობა: 768 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR160

WW1JTR160

ნაწილი საფონდო: 102962

წინააღმდეგობა: 160 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW3JBR100

WW3JBR100

ნაწილი საფონდო: 196875

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K62

WW1FT1K62

ნაწილი საფონდო: 151220

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JTR470

WW3JTR470

ნაწილი საფონდო: 183188

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
CB15JBR510

CB15JBR510

ნაწილი საფონდო: 113621

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±800ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR150

WW1JTR150

ნაწილი საფონდო: 145437

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K74

WW1FT1K74

ნაწილი საფონდო: 157757

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR510

WW1JTR510

ნაწილი საფონდო: 125349

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW4JT18R0

WW4JT18R0

ნაწილი საფონდო: 166512

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JT910R

WW12JT910R

ნაწილი საფონდო: 103561

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K21

WW1FT1K21

ნაწილი საფონდო: 102987

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K69

WW1FT1K69

ნაწილი საფონდო: 154290

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K47

WW1FT1K47

ნაწილი საფონდო: 159724

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K05

WW1FT1K05

ნაწილი საფონდო: 124283

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K43

WW1FT1K43

ნაწილი საფონდო: 129426

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR120

WW1JTR120

ნაწილი საფონდო: 119977

წინააღმდეგობა: 120 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW3JTR750

WW3JTR750

ნაწილი საფონდო: 173466

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR560

WW1JTR560

ნაწილი საფონდო: 144362

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW12JT1K00

WW12JT1K00

ნაწილი საფონდო: 121389

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT825R

WW1FT825R

ნაწილი საფონდო: 149868

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JT2K40

WW1JT2K40

ნაწილი საფონდო: 128610

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT2K00

WW1FT2K00

ნაწილი საფონდო: 174102

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW2JB3K30

WW2JB3K30

ნაწილი საფონდო: 143785

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW5JT39R0

WW5JT39R0

ნაწილი საფონდო: 119520

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT953R

WW1FT953R

ნაწილი საფონდო: 123111

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი