ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

WW1FT1K65

WW1FT1K65

ნაწილი საფონდო: 129987

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RSF3FT30K1

RSF3FT30K1

ნაწილი საფონდო: 133874

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K13

WW1FT1K13

ნაწილი საფონდო: 175078

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT866R

WW1FT866R

ნაწილი საფონდო: 152833

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR180

WW1JTR180

ნაწილი საფონდო: 114585

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW2FTR330

WW2FTR330

ნაწილი საფონდო: 151332

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K54

WW1FT1K54

ნაწილი საფონდო: 123757

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR270

WW1JTR270

ნაწილი საფონდო: 194840

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K50

WW1FT1K50

ნაწილი საფონდო: 128570

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR300

WW1JTR300

ნაწილი საფონდო: 116159

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW12JT510R

WW12JT510R

ნაწილი საფონდო: 186125

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR360

WW1JTR360

ნაწილი საფონდო: 162249

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR620

WW1JTR620

ნაწილი საფონდო: 174356

წინააღმდეგობა: 620 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1AJB1K00

WW1AJB1K00

ნაწილი საფონდო: 143153

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K37

WW1FT1K37

ნაწილი საფონდო: 138797

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JTR500

WW3JTR500

ნაწილი საფონდო: 109593

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW5JT22R0

WW5JT22R0

ნაწილი საფონდო: 106412

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT976R

WW1FT976R

ნაწილი საფონდო: 102709

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JBR500

WW1JBR500

ნაწილი საფონდო: 124079

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW12JB4R30

WW12JB4R30

ნაწილი საფონდო: 156562

წინააღმდეგობა: 4.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR200

WW1JTR200

ნაწილი საფონდო: 191400

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR240

WW1JTR240

ნაწილი საფონდო: 103668

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW12JT680R

WW12JT680R

ნაწილი საფონდო: 168585

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW2FTR200

WW2FTR200

ნაწილი საფონდო: 195282

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K82

WW1FT1K82

ნაწილი საფონდო: 175773

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K07

WW1FT1K07

ნაწილი საფონდო: 154323

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JTR910

WW3JTR910

ნაწილი საფონდო: 189350

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW4JT200R

WW4JT200R

ნაწილი საფონდო: 128564

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K02

WW1FT1K02

ნაწილი საფონდო: 185211

წინააღმდეგობა: 1.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR110

WW1JTR110

ნაწილი საფონდო: 143143

წინააღმდეგობა: 110 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW4JB47R0

WW4JB47R0

ნაწილი საფონდო: 110735

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K78

WW1FT1K78

ნაწილი საფონდო: 176590

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1AJB1R00

WW1AJB1R00

ნაწილი საფონდო: 125982

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1FT931R

WW1FT931R

ნაწილი საფონდო: 103280

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JT560R

WW12JT560R

ნაწილი საფონდო: 103291

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW4JB100R

WW4JB100R

ნაწილი საფონდო: 171681

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი