ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

WW12JT620R

WW12JT620R

ნაწილი საფონდო: 199684

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JB400R

WW12JB400R

ნაწილი საფონდო: 156217

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW4JB15R0

WW4JB15R0

ნაწილი საფონდო: 177386

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JB6R80

WW12JB6R80

ნაწილი საფონდო: 113779

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW4JB200R

WW4JB200R

ნაწილი საფონდო: 110181

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR430

WW1JTR430

ნაწილი საფონდო: 115770

წინააღმდეგობა: 430 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW5JT36R0

WW5JT36R0

ნაწილი საფონდო: 170395

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW3JTR510

WW3JTR510

ნაწილი საფონდო: 132549

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW2FTR100

WW2FTR100

ნაწილი საფონდო: 106363

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR470

WW1JTR470

ნაწილი საფონდო: 179114

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW5JT110R

WW5JT110R

ნაწილი საფონდო: 145654

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW5JT3R90

WW5JT3R90

ნაწილი საფონდო: 180135

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K24

WW1FT1K24

ნაწილი საფონდო: 180767

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW5JT470R

WW5JT470R

ნაწილი საფონდო: 189106

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JB3R60

WW12JB3R60

ნაწილი საფონდო: 162135

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1FT845R

WW1FT845R

ნაწილი საფონდო: 161172

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JT750R

WW12JT750R

ნაწილი საფონდო: 134479

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW12JB15R0

WW12JB15R0

ნაწილი საფონდო: 177650

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K40

WW1FT1K40

ნაწილი საფონდო: 117316

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW4JT150R

WW4JT150R

ნაწილი საფონდო: 113258

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K15

WW1FT1K15

ნაწილი საფონდო: 101253

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JBR100

WW1JBR100

ნაწილი საფონდო: 192600

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW5JT33R0

WW5JT33R0

ნაწილი საფონდო: 137416

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW4JT270R

WW4JT270R

ნაწილი საფონდო: 116530

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW4JT10R0

WW4JT10R0

ნაწილი საფონდო: 115041

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K33

WW1FT1K33

ნაწილი საფონდო: 179206

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW2FTR150

WW2FTR150

ნაწილი საფონდო: 106768

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K27

WW1FT1K27

ნაწილი საფონდო: 199687

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR330

WW1JTR330

ნაწილი საფონდო: 136661

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR390

WW1JTR390

ნაწილი საფონდო: 169198

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JT3K00

WW1JT3K00

ნაწილი საფონდო: 157316

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K10

WW1FT1K10

ნაწილი საფონდო: 139553

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
WW1FT1K58

WW1FT1K58

ნაწილი საფონდო: 189438

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RSF3FT274R

RSF3FT274R

ნაწილი საფონდო: 193779

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Retardant Coating, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
WW3JBR200

WW3JBR200

ნაწილი საფონდო: 133480

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
WW1JTR910

WW1JTR910

ნაწილი საფონდო: 167240

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი