კრისტალები

ABM11W-37.4000MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-37.4000MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168401

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-32.000MHZ-B4Y-T3

ABM8G-32.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168340

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-50.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168430

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-29.4912MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168407

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-16.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-25.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168375

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.4400MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-19.4400MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168418

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM81-38.400MHZ-B4Y-T3

ABM81-38.400MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM8W-45.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM8W-45.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 174395

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 45MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-20.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168424

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168384

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-28.6364MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168357

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168354

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-33.8680MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-33.8680MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174367

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-20.4800MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168410

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-29.4912MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-33.0000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168355

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-35.4160MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168388

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168389

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168374

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168389

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-28.6364MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168409

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8G-18.432MHZ-B4Y-T3

ABM8G-18.432MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168419

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168411

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-37.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168405

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-37.4000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABL-48.000MHZ-B2

ABL-48.000MHZ-B2

ნაწილი საფონდო: 190741

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABS07-32.768KHZ-6-T

ABS07-32.768KHZ-6-T

ნაწილი საფონდო: 194247

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM10W-48.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM10W-48.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 194277

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-48.000MHZ-B2-T3

ABM8-48.000MHZ-B2-T3

ნაწილი საფონდო: 194253

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 Ohms,

სასურველი
ABM10W-32.0000MHZ-7-D1X-T3

ABM10W-32.0000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 194301

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-25.000MHZ-B2-T3

ABM8-25.000MHZ-B2-T3

ნაწილი საფონდო: 194276

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10W-48.0000MHZ-7-B1U-T3

ABM10W-48.0000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 194318

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი