კრისტალები

ABM8G-22.1184MHZ-B4Y-T3

ABM8G-22.1184MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-40.0000MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168433

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-36.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168350

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-30.0000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168420

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168431

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-49.1520MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168357

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-19.2000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-19.2000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM81-25.000MHZ-B4Y-T3

ABM81-25.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168371

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-24.5455MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168422

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.9680MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-19.9680MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168388

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.968MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-24.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168354

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-26.0410MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168403

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-33.3333MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-33.3333MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174384

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-33.8688MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168408

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-37.0000MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168435

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-33.3300MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168340

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-38.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168406

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-33.8680MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168354

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-38.4000MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168405

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5454MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-24.5454MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168430

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-44.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.9680MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-19.9680MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168402

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.968MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-19.2000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168366

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168411

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-27.1200MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168379

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-24.9231MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168358

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-26.0410MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168349

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-37.0500MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168345

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-24.5455MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168369

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168432

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-7-K2Z-T3

ABM11W-29.4912MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168372

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-28.2240MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168373

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-27.0000MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168341

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი