კრისტალები

ABM11W-20.4800MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-20.4800MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168366

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168421

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-31.2500MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168374

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-33.8688MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168344

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-20.0000MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-33.3330MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168436

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-33.0000MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168348

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168362

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0132MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-16.0132MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 145

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.3200MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-30.3200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174401

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-29.4912MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-24.5727MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168347

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-29.4912MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-36.0000MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168416

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-38.0000MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168424

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168415

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-33.0000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168418

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-24.5455MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168421

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-20.4800MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168379

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168382

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-48.0000MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3333MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-33.3333MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-33.3300MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168395

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-30.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168412

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-24.9231MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-33.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168420

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168359

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-49.1520MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168399

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-33.8680MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168394

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-24.9231MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168432

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8W-50.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM8W-50.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 174443

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.4800MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-20.4800MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174425

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-24.5760MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168374

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-35.4160MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168371

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168397

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი